高深宽比微纳结构模拟、加工及应用-控制科学与工程;控制理论与控制工程专业论文.docxVIP

南开大学学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文，是本人在导师指睁下进行研究工作所 取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、巳公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 μf久 学位论文作者签名: 2010 年 6 月 1 R 州 州州Owm州川adw 州 州州Ow m州川adw 删呻山响 dEE 恻川川huw 恻呻呻 AUT m川moo 恻叩川ma-- 州州州VE 非公开学位论文标注说明 根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师|可意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本 说明为空白。 论文题目 申请密级 口限制( 2年) 口秘密( 10年) 口机密(延20年) 保密期限 20 年月 日军20 年 月 日 审批表编号 批准日期 20 年 月 日 限制食 2 年(最长 2 年，可少于 2 年) 秘密食 10 年(最低 5 年，可少于 5 年) 机密食20 年(最长 10 年，可少于 10 年) 摘要 摘要 高深宽比微纳结构目前在生物传感器、王维微型电池、光子晶体、王维集 成电路金属丑连等领域中展现出巨大的潜在应用价值。例如，基于高深宽比金 属互连的下…代三维多层集成电路在响应时间、集成度以及可靠性上明显优于 目前普遍采用的二维集成电路。再例如，基于高深宽比三维电极阵列的三维微 型电池相比二维薄膜电池在相同电极基底面积上能够提供更多的能量和功率， 问时保持很高的放电速事。此外，高深宽比纳米柱、针尖等结构在生化分析和 太阳能电池领域也发挥着越来越重要的作用。但同时，更高深宽比结构的加工 也对现有工艺提出了前所未有的挑战。如上面提到的下…代三维集成电路余届 互连结构的深宽比被期望能够达到 100:1，即使目前最先进的深反应离子刻蚀也 无法达到如此高的深宽比刻蚀。不仅如此，如此高深宽比的金属填充也是…个 巨大的挑战，目前已知的基于自底向上电镀的通孔填充技术所达到的深宽比普 遍低于 20:10 对于三维微型电?也来说，其独立式高深宽比金属电极则更需要无 任何缺陷的金属填充技术以保证足够的电极产率和机械强度。 本文从王维微型电地制备的需求出发，选取目前高深宽比结构加工中几种 常用的关键工艺进行研究，包括深反应离子刻协、硅光电化学刻蚀和电镀，力 求对这几种工艺加工水平的提高有所突破，使其能够更好地服务于实际应用。 具体研究内容包括:部反应离子刻蚀模拟、基于深反应离子刻蚀的高深宽比硅 结构加工、基于光电化学刻蚀的高深宽比硅结构加工、高深宽比金属结构加工、 高深宽比结构应用一…王维微型电油。 首先，针对目前深反应离子刻蚀缺乏有效的三维模拟这…问题，我们将原 有二维工艺模型推广到三维，并采用我们之前提出的基于体元 (Voxel) 的 MEMS 工艺仿真方法对该三维模型进行数学形态学建模。通过~系列优化算法，我们 首次实现了深反应离子刻蚀工艺的王维可视化仿真。此外，我们还首次将深反 应离子刻蚀的模拟拓展到纳米尺度，通过加入改进的气体传输与微负载效应模 型实现了对大范围高密度侧璧可控的纳米结构刻蚀形貌的三维仿真，最终模拟 结果与实际加工结果高度一致。 I 摘要 我们通过一系列优化工艺参数实验，得到深度超过 400jJm 的通孔以及直径 500nm ，高度10 阳，深宽比 20: 1 的纳米柱结构。进一步，为了突破现有大多 数纳米加工技术只能在平团结构上进行这…限制，我们提出一种基于深反应离 子刻蚀及其黑硅效应的微纳二次复合结构加工方法。通过调节刻蚀与钝化参数， 我们不仅成功实现了黑硅效应的有效控制，还将其应用到与流体和光学特性相 关的表面改造当中，成功实现具有超疏水和防反射双重特性的功能表面。 第五，针对目前光电化学刻蚀对于大面积刻蚀均匀性和刻蚀效率研究不足 的问题，我们对原有工艺进行了一系列改进，包括均匀的背面欧姆接触、基于 PID 反馈控制的刻他也流、更加合适的光照距离，成功实现直径 5jJm 、深度500jJm (深宽比 100:1)的大面积 (2cm2 ) 通孔刻蚀，有效刻蚀区域内的刻蚀均匀性 接近 100%; 针对光电化学刻蚀只能加工与 110 晶向对齐的方孔和线条这一限 制，我们将一种添加表面活性剂的 TMAH 刻蚀技术用于光电化学刻蚀所帘的初 始刻蚀图形的形成，成功实现线宽 4μm 、深度超过300μm 的复杂阁形(非110 图形)的高深宽比刻蚀，从而将光电化学刻蚀拓展到一种用途更加广泛的微加 工手段。 第四，针对目前困扰高深宽比结构金属填充的气泡问题，我