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第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 双极晶体管的单管结构及工作原理 理想本征双极晶体管的EM模型 集成双极晶体管的有源寄生效应 集成双极晶体管的无源寄生效应 MOS晶体管的单管结构及工作原理 MOS集成电路中的有源寄生效应 2.1双极晶体管的单管结构及工作原理 双极器件：两种载流子（电子和空穴）同时参与导电 正向工作区 发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1） 具有电流放大作用： 1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。 2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。 3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为0.3V，深饱和时VCES达0.1～0.2V。 当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。 场区寄生MOSFET 寄生双极晶体管 寄生PNPN效应（闩锁（Latch up）效应） 场区寄生M