金属氧化物半导体等m力os场效应管.pptVIP

5.5 各种放大电路性能比较 3.各种放大器件电路比较 2. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 2. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 共漏 3. MOSFET 三种基本放大电路比较(p.221) 共源极放大电路 共漏极放大电路(源极输出器） 共栅极放大电路 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ (动画2-8） 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 （动画2-9） 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS