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cmos工艺流程及mos电路版图举例
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像:N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例 1) 简化N阱CMOS工艺演示 氧化层生长 曝光 氧化层的刻蚀 N阱注入 形成N阱 氮化硅的刻蚀 场氧的生长 去除氮化硅 重新生长二氧化硅(栅氧) 生长多晶硅 刻蚀多晶硅 刻蚀多晶硅 P+离子注入 N+离子注入 生长磷硅玻璃PSG 光刻接触孔 刻铝 刻铝 2) 清华工艺录像 N阱硅栅CMOS工艺流程 初始氧化 光刻1,刻N阱 N阱形成 Si3N4淀积 光刻2,刻有源区,场区硼离子注入 场氧1 光刻3 场氧2 栅氧化,开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4,刻NMOS管硅栅,磷离子注入形成NMOS管 光刻5,刻PMOS管硅栅,硼离子注入及推进,形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6,刻孔、磷硅玻璃淀积回流(图中有误,没刻出孔) 蒸铝、光刻7,刻铝、光刻8,刻钝化孔(图中展示的是刻铝后的图形) 离子注入的应用 N阱硅栅CMOS工艺流程 形成N阱 初始氧化,形成缓冲层,淀积氮化硅层 光刻1,定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入,先注磷31P+ ,后注砷75As+ 形成P阱 在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化 去掉光刻胶及氮化硅层 P阱离子注入,注硼 推阱 退火驱入,双阱深度约1.8μm 去掉N阱区的氧化层 形成场隔离区 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻2场隔离区,非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区硼离子注入以防止场开启 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层 阈值电压调整注入 光刻3,VTP调整注入 光刻4,VTN调整注入 形成硅化物 淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层(spacer, sidewall) 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火,形成C-47相的TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 形成接触孔 化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层 退火和致密 光刻8,接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃,形成接触孔 形成第一层金属 淀积金属钨(W),形成钨塞 形成第一层金属 淀积金属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻9,第一层金属版,定义出连线图形 反应离子刻蚀金属层,形成互连图形 形成穿通接触孔 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解 Plasma Enhanced TEOS :tetraethylorthosilicate [Si-(OC2H5)4] -- 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀绝缘层,形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻10,第二层金属版,定义出连线图形 反应离子刻蚀,形成第二层金属互连图形 合金 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻11,钝化版 刻蚀氮化硅,形成钝化图形 测试、封装,完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 首先进行表面清洗,去除wafer表面的保护层和?杂质,三氧化二铝必须以高速粒子撞击,并?用化学溶液进行清洗。 然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化硅对晶圆的表面应力。? 涂覆光阻(完整过程包括,甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成,氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。 光刻技术去除不想要的部分,此步骤为定出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料,常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。??????????????? ??在P阱区域植入硼(+3)离子,因硅为+4价,所以形成空洞,呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度角,以防止发生沟道效应,即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理,以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成工序所形成的格局)。?? LOCOS (local?oxidation?of?silicon)选择性氧化:湿法氧化二氧化硅层,因
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