高聚物熔体在微流道内流变行为的研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

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高聚物熔体在微流道内流变行为的研究-材料加工工程专业论文

摘要 摘 要 随着微机电系统的快速发展,微注塑成型制品广泛应用于生产生活的各个 领域,因此急需开发出适用于微注塑成型过程的数值模拟软件,而确定高聚物 熔体在微尺度下的流变行为对于模拟结果的准确性至关重要。研究表明,高聚 物熔体在微尺度下的流变行为与在宏观尺度下有很大不同,一些在宏观尺度下 被忽略的因素,如壁面滑移、表面张力、微观粘度等,在微尺度下可能会有显 著的影响。本文引入壁面滑移模型和微观粘度模型对高聚物熔体在微流道内的 等温稳态和非等温非稳态流动过程进行数值模拟,主要工作及结论如下: 1.借鉴宏观尺度下的壁面滑移理论,探讨了壁面滑移产生的机理、壁面滑 移速率的测定方法和壁面滑移模型的建立,分析了高聚物熔体在微尺度下易发 生壁面滑移现象的原因。 2.基于粘性流体力学基本方程,结合高聚物熔体在微流道内的流动特点, 经过合理的假设和简化,建立了高聚物熔体在微流道内流动过程的数学模型。 3.对高聚物熔体在微流道内的等温稳态流动进行数值模拟,分别考虑了微 观粘度、壁面滑移以及两者共同作用时的影响。模拟结果表明,微观粘度效应 使壁面剪切应力升高,而壁面滑移效应使壁面剪切应力降低。在较高表观剪切 速率下,以壁面滑移的影响为主,在较低的表观剪切速率下,受到两者共同作 用的影响。 4.利用混合有限元/有限差分/控制体积方法实现高聚物熔体在微流道内非 等温非稳态流动过程的数值模拟。分析了不同温度场和压力场下,壁面滑移和 微观粘度对流动过程的影响。模拟结果表明,在一定压力范围内,壁面剪切应 力随着流道内压力的增加而增大。当微流道尺寸小于10岬时,可看作是在壁面 温度下的等温流动过程,因此壁面温度必须高于高聚物的熔融温度。同时发现, 提高表观剪切速率有助于高聚物熔体在微流道内的流动。 关键词:微注塑成型壁面滑移微观粘度微流道数值模拟 ABSTRACT ABSTRACT With the rapid development of MEMS,micro-injection molding is widely used in many fields.It becomes more and more important to develop suitable simulation software for micro-injection molding.Determination of the rheological behavior of the polymer melt within micro—channels is vital for the accurate simulation modeling of micro-injection molding.There are evidences indicating that polymeric flows in micro—channels differ significantly from those in macro-channels.Some factors that ignored in macro·scale may have significant effect in micro-scale,such as wall slip, surface tension,micro—viscosity etc.In the paper,slip models and micro-viscosity model were introduced to simulate the flow behavior of polymer melt in micro-·channels under the isothermal--steady·-state and non-isothermal·-unsteady·-state situations.The major work and main conclusions are as following: 1.On the base of macro—scale wall slip theories,the wall slip mechanisms,slip determination techniques and wall slip models were investigated.And analyzed the reasons why wall slip would easily occur in micro—channels. 2.Based on the viscous fluid mechanics and flow characteristics of polymer melt in micro—channels,the reason

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