【5A版】半导体器件物理详尽版课程.ppt

Si-SiO2界面的结构 利用热生长或化学汽相淀积人工生长的SiO2可有厚达几千埃（10-10m），外表面能级几乎无法与体内交换电子， Si-SiO2界面有别于理想表面和真实表面，慢态能级和外界气氛对半导体内的影响很小。 SiO2常用作MOS结构中的绝缘介质层，器件有源区之间场氧化隔离，选择掺杂的掩蔽膜，钝化保护膜等。 硅-二氧化硅界面，二氧化硅层中，存在一些严重影响器件性能的因素，主要是氧化层中可动离子，固定氧化层电荷，界面陷阱，以及辐射、高温高负偏置应力会引起附加氧化层电荷的增加等。 可动离子 在人工生长的二氧化硅层中存在着一些可移动的正电荷，它们主要是沾污氧化层的一些离子。刚沾污时，这些正离子都在氧化层的外表面上。在电场及温度的作用下，它们会漂移到靠近硅-二氧化硅界面处，在硅的表面处感应出负电荷，对器件的稳定性有很大的影响。其中最主要的是钠离子（Na+），它在二氧化硅中进行漂移的激活能很低，因此危害很大。 为了防止和去掉钠离子沾污的影响，除了严格执行工艺规定防止离子沾污外，提高制备材料（如化学试剂、气体等）的纯度，改进工艺装备和方法，是获得稳定的MOS器件的重要手段。目前有两种工艺被广泛应用：磷稳定化和氯中性化。 磷稳定化即二氧化硅外部形成磷硅玻璃，扩散中可动钠离子总是进入氧