射频衰减器RF电导调制利用PIN限幅二极管的射频电导调制.doc

§12.3 射频衰减器 3. RF电导调制 利用PIN限幅二极管的射频电导调制效应来实现对输入信号的 衰减,即限幅器在输入高功率信号时,具有较高的信号衰减；在低 的输入信号功率时,只有一个很小的插入损耗。pin二极管正偏时， 自由载流子浓度在本征区不完全均匀分布。因载波子寿命有限， 就出现了图（a）所示形状。现在假设去掉直流偏臵且用如图 （b）中所示的短路线（直流回路）来代替，当大量微波电流建 立起来，产生的载流子浓度分布如图（c）所示。 PIN正偏的I层载流子浓度 PIN二极管限幅电路 41 RF激励时I层载流子浓度 §12.3 射频衰减器 12.4.2 PIN二极管限幅器 利用PIN二极管在正偏臵下具有电导调制作用，即随外加正偏流 的增加，I层电阻迅速下降。用微波功率代替外加正偏臵来开启 PIN二极管可达同样效果，即随微波功率的增加，I层电阻迅速下 降。PIN限幅器是利用输人的微波信号大小作为自偏臵达到限幅。 研究表明，当本征层宽度W远小于载流子扩散长度L（等 于 43 ? μm ，τ 是微秒两级平均载流子寿命），PIN二极管本征区 的电阻在微波电流驱动后正式给出： Ri ? W Dap 1 1 2? f e kT I rf 在室温下二极管关系式简化为： W f Ri ? 20 I rf 42 §12.3 射频衰减器 12.4.3 微带结构限幅器 下图（a）所示为用两只