基于SOI材料光通信器件的模拟、设计和制作-光学工程专业论文.docxVIP

浙江大学顺士论文摘 浙江大学顺士论文 摘 要 Y s81‘02 SOl(Silicon．On．Insulator)材料由丁I其在低功耗、高速CMOS器件方面的应用，被称 为“二十一世纪的硅基础电路技术”。同时，它也具备许多优越的光学特性，比如低损耗(在 通信波段)、高折射率差，这使得它不但能用来制作灵巧紧凑的光集成器件，也为利用CMOS 微电子工艺实现光电集成提供了一个很好的平台。 在两年半的硕士学习期间，我将集成光器件的模拟与设计作为自己的研究方向，着重研 究基于SOI材料的光通信器件。本论文总结了我两年来的研究成果，它主要包括基于SOI 材料的集成光器件模拟设计和制作工艺两部分。 在理论和设计方面，本论文首先在基于SOI材料的光集成器件的模拟算法方面做了研 究。由丁SOl材料中作为波导芯层的硅折射率很大，与作为包层的Si02之间有很大的折射 率差，这势必对模拟数值算法的精度和边界处理等方面提出了更高的要求。本文给出了一种 基于插值的全矢量有限差分方法(FDM)。在保证一定精度的前提下，这种方法能够平滑地 处理SOl材料的折射率突变界面。另外，本文还实现了多种束传播算法(BPM)，为设计特 性优良的光集成器件打下扎实的基础。基于以上实现的算法，本文还对SOI脊形光波导的 一些基础结构特性做了研究，比如利用建立的有限差分模式解算法模拟了不同刻蚀深度对 SOI脊形光波导的偏振相关特性的影响以及泄漏损耗、弯曲损耗与波导结构参数之间的关系 等等；最后，本论文给出了几种基于SOI材料无源器件的模拟设计结果。比如在FDM和 BPM等算法的基础上，利用遗传算法设计了波长响应平坦的功分器等。 在制作工艺方面，摸索出一套相对行之有效的SOI光波导制作工艺流程，在图像反转 光刻以及Liit．Off金属剥离等方面，得到了一些比较成熟的工艺参数。 浙江大学坝士论文Abstract 浙江大学坝士论文 Abstract CMOS electronics on silicon—on·insulator(SOI)wafers has emerged as the microelectronics technology in the 21st century for low-power high—speed applications Owing to their unique optical properties，such as low loss and large refractive index difference between silicon and silicon oxide，SOI structures call not only be used to fabricate smart integrate photonic devices， but offer the ability to integrate photonic devices into the CMOS integrated circuit(if)process I mainly engage in design，simulation and fabrication of optical conmmnication devices based on SOI material This thesis summarizes my resarach results in the past two and half years． It consists of“vo parts—the first part is about simulation and design ofintegrate photonic devices， the second one is about fabrication techniques． Firstly,much effort is put into the theoretic analysis and numerical algorithm research．To calculate the mode profile of SOl rib waveguide with jumps in the refractive index，a new full—vectorial finite-difference method(FDM)based on the Lagrange interpolation of the field is presented．The present formula takes into account the discontinuities of the fields and carl give reliable mode prof