基于SOC应用的MnZn铁氧体薄膜研究-电子信息材料与元器件专业论文.docxVIP

分类号 密级 UDC 注 1 学 位 论 文 基于 SOC 应用的 MnZn 铁氧体薄膜研究 （题名和副题名） 史富荣 （作者姓名） 指导教师姓名 余 忠 教授 电子科技大学 成都 （职务、职称、学位、单位名称及地址） 申请学位级别 硕 士 专业名称 电子信息材料与元器件 论文提交日期 2011.4 论文答辩日期 2011.5 学位授予单位和日期 电子科技大学 答辩委员会主席 评阅人 年 月 日 注 1：注明《国际十进分类法 UDC》的类号 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 摘 要 随着信息技术应用范围扩大和电子产品数字化发展，对电子器件和作为电子 元器件的基础材料提出了更高的要求。目前，集成电路技术依然是以 SIP(system in package)技术为主，这是因为电感元件占据了太大的面积，很难集成到电路中。 为了满足当前电子元器件的轻薄短小、低功耗、高可靠性、数据的高速率传输和 转换等要求，必须将集成电路技术由 SIP 技术向 SOC(system on chip)技术转换。这 个转换过程中的关键因素就是将过去做成插件的电感元件集成到电路中。磁性材 料可以有效地增加电感材料的电感量，在满足相同电感量要求的前提下可缩小电 感元件的尺寸，因此，对单片集成电路 MIC(monolithic integrated circuits)中实现 SOC 技术的关键——磁性薄膜的制备已成为当前国内外的研究热点。 本文采用了射频磁控溅射法制备 MnZn 铁氧体薄膜，着重研究了退火工艺对 薄膜结构和性能的影响，明确了高性能 MnZn 铁氧体薄膜的工艺参数。在工艺参 数优化的基础上，研究了薄膜厚度、组份和基片种类对 MnZn 铁氧体薄膜性能的 影响。 首先，介绍了 MnZn 铁氧体薄膜制备工艺，包括靶材的制备与薄膜制备的流 程。其次，重点研究了退火工艺对薄膜性能的影响，退火工艺参数包括退火气压、 退火温度、退火升温速率及退火气氛中氧含量。同时，考察了钟罩炉常压退火与 真空退火对薄膜性能的影响。接着，在 Si(100)基片上沉积 180nm、320nm、450nm、 800nm、1120nm 不同厚度的 MnZn 铁氧体薄膜，研究了厚度对薄膜物相结构、显 微形貌及磁性能的影响。分别在 Si(100)，SiO2/Si(100)，玻璃，MgAl2O4(100)， MgAl2O4(111)，MgO(100)等不同基片上沉积了厚度 450nm 的 Mn0.5Zn0.5Fe2O4 铁氧 体薄膜，分析了由于基片与薄膜之间的晶格结构与热膨胀系数的差异导致择优取 向生长和磁性能变化。最后，制备了不同组份的 MnZn 铁氧体靶材，并利用上述 优化的工艺溅射沉积了 MnZn 铁氧体薄膜，研究了薄膜样品的相结构、磁性能与 组份间关系。 研究结果表明，真空退火优于常压退火，真空退火较为理想的工艺条件是气 压在 1.4Pa，退火温度为 600℃，氧含量 5%，升温速率 5℃/min；采用该优化的热 处理工艺参数，400nm 厚的 Mn0.5Zn0.5Fe2O4 铁氧体薄膜在室温下具有高的饱和磁 化强度 Ms 为 220KA/m，低的矫顽力 Hc 为 7KA/m。薄膜厚度较厚时，晶粒尺寸较 I 摘 要 大，表面较为粗糙，但薄膜厚度也不易过薄，在做测试分析时信号太弱，在薄膜 厚度为 450nm 时可获得较优的显微形貌及磁性能,其饱和磁化强度 Ms 为 221KA/m， Hc 为 9.7KA/m。薄膜中组份（Mn 含量）的变化影响磁性离子在 A、B 次晶格中的 占位分布，结果表明：在相同的薄膜制备工艺与退火工艺条件下，Mn0.5Zn0.5Fe2O4 的磁性能较好，饱和磁化强度 Ms 为 213KA/m，Hc 为 7.2KA/m。不同类型基片上 沉积的薄膜，由于晶格常数和热膨胀系数的差异，薄膜物相结构、微观