大功率犘沟道犞犇犕犗犁器件设计和工艺仿真.PDFVIP

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2018-12-18 发布于湖北
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大功率犘沟道犞犇犕犗犁器件设计和工艺仿真.PDF

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第卷第期重庆大学学报３９４Ｖｏｌ．３９Ｎｏ．４年月ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｈｏｎｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ２０１６８Ａｕ．２０１６ｇｑｇｙｇ：／ｄｏｉ１０．１１８３５．ｉｓｓｎ．１０００５８２Ｘ．２０１６．０４．０１７ｊ大功率沟道器件设计与工艺仿真犘犞犇犕犗犛蒲石，杜林，张得玺　　（西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安７１００７１）摘要：作为现代电力电子核心器件之一的沟道（，）器ＰＶＤＭＯＳｖｅｒｔｉｃａｌｄｏｕｂｌｅｄｉｆｆｕｓｅＭＯＳ　件，一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以沟道器件为研究对象，为一ＰＶＤＭＯＳ款击穿电压超过的沟道设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构，并开－２００ＶＰＶＤＭＯＳ发了一套完整的沟道专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过ＰＶＤＭＯＳ－２００Ｖ，阈值电压为－２．７８Ｖ，完全满足了设计要求，也为下一步流片提供了有益的参考。关键词：沟道；击穿电压；导通电阻；阈值电压ＰＶＤＭＯＳ中图分类号：文献标志码：文章编号：（）ＴＮ４３２Ａ１０００５８２Ｘ２０１６０４１３３０６　　犇犲狊犻狀犪狀犱狉狅犮犲狊狊狊犻犿狌犾犪狋犻狅狀狅犳犺犻犺狏狅犾狋犪犲犘犮犺犪狀狀犲犾犞犇犕犗犛犵狆犵犵，，犘犝犛犺犻犇犝犔犻狀犣犎犃犖犌犇犲狓犻（，，ＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒｆｏｒＷｉｄｅＢａｎｄａＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓＭｉｎｉｓｔｒｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎｙｙｇｐｙ， ’ ，）ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔＸｉａｎ７１００７１Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａｙ：，犃犫狊狋狉犪犮狋Ａｓｏｎｅｏｆｃ