《第2章整机装配前的准备工艺》-课件设计（公开).pptVIP

电子整机装配之前，对所用的元器件及材料等进行的分类、筛选以及必要的加工，我们把这些准备工作的内容和要求称为准备工艺。常见的有： 2.1 元器件的分类和质量检查 一、元器件的分类 在装配电子整机的准备工作中，极重要的作业是将器件根据工艺要求进行分类。这样分类不仅可以避免元器件装错，还能提高整机装配的速度和质量。 在批量生产中，一般按流水作业进行组装。所以元器件通常是按流水作业的组装顺序即装配工序进行分类的。 整机装配所用元器件的质量是电子整机质量的重要保证，因此，在整机装配前应按照整机技术要求的规定对元器件进行质量检查，不符合要求的元器件不得装入整机。 1、外观检查 外观检查时，首先要查对元器件的型号、规格、出厂日期是否符合整机技术条件要求，没有合格证明的元器件不得使用。 外观检查的主要内容如下： （2）电位器、可变电容器和可调电感器等元件， 调动时应该旋转平衡，无跳变和卡死现象。 2、元器件的筛选和老化 筛选和老化的目的：剔除因某种缺陷而导致早期失效的元器件，从而提高元器件的使用寿命和可靠性。 （2）条件及要求 高温贮存 贮存温度：硅二极管150±3℃；硅三极管175±3℃；锗二极管、三极管100±2℃； 贮存时间：A级48小时，B级96小时。 敲击 在专用夹具上，用小锤敲击器件，并用图示仪监视最大工 作电流正向曲线。不允许曲线有跳动现象。敲击次数为3～5次。 ⑥ 高温测试 试验温度锗二极管为70±2℃，锗中小功率三极管为55±2℃，锗大功率三极管为75±2℃，硅二、三极管为125±3℃，恒温时间为30分钟。 ⑦ 低温测试 试验温度为-55±3℃，恒温时间为30分钟。 半导体集成电路的筛选 作用：加速表面化学反应，使电路稳定，剔除 （1）高温贮存 潜在的失效电路 贮存条件：温度150～175±5℃，贮存时间为 48小时或96小时 （4）跌落 跌落条件：从80cm高处，以自由落体方式落到5mm厚的玻璃板上，跌落次数不少于5次。 2.2 搪锡技术 搪锡就是预先在元器件的引线、导线端头和各类线端子上 挂上一层薄而均匀的焊料，以便整机装配时顺利进行焊接操作。 2、剥头 要求：绝缘层剥除整齐，芯线无损伤、断股等缺陷。 3、捻头 其目的是将已经剥除了绝缘层的导线端头的多股芯线绞合 整齐。绞合时应松紧相宜，不卷曲、不断股。 2.2.2 搪锡方法 导线端头和元器件引线的搪锡方法有电烙铁搪锡、搪锡槽 搪锡和超声波搪锡等，各类方法的搪锡温度和搪锡时间如下表 所示： 一、电烙铁搪锡 适用于少量元器件和导线焊接前的搪锡。过程：用沾水海绵或湿布清洁烙铁头工作表面 加热引线或导线端头 在接触处加入适量有焊剂芯的焊锡丝 烙铁头带动熔化的焊锡来回移动。 二、搪锡槽搪锡 将导线或引线沾少许焊剂，垂直插入搪锡槽焊料中并移动，搪上锡后再垂直取出。 超声波搪锡操作简单、效率高，一般不需刮除氧化层，也不用焊剂。但对较细引线，搪锡时间要适当缩短，否则其引线在超声波作用下会变细，从而影响引线的机械强度。 一、质量要求 经过搪锡的元器件引线和导线端头，搪锡处距元器件引 线根部应留有一定的距离，导线留1mm，元器件留2mm以上。 被搪锡表面应光滑明亮，无拉尖的毛刺，焊料层厚薄均匀 无残渣和焊剂粘附。搪锡后的元器件外观无损伤、裂痕，漆层 无脱落，标志保持清晰。未搪锡的导线外绝缘层无烫伤、烧伤 等损坏痕迹。 二、搪锡操作应注意事项 1、通过试搪锡操作，熟悉并严格控制搪锡的温度和时间； 2、元器件引线去除氧化层和导线剥去绝缘层后应立即搪锡， 以免再次氧化或玷污； 3、对轴向引线的元器件搪锡时，一端引线搪锡后，要等元件 充分冷却后才能进行另一端引线的搪锡； 4、部分元器件，如非密封继电器、波段开头等，一般不宜用 搪锡槽搪锡，可采用电烙铁搪锡。严防焊料和焊剂渗入元器件 内部； 5、在规定的时间内若搪锡质量不好，可待搪锡件冷却后，再 进行第二次搪锡。若质量依旧不好，应立即停止操作并找出原 因； 6、经搪锡处理的元器件和导线要及时使用，一般不得超过三天，并需妥善保存； 7、搪锡场地应通风良好，及时排除污染气体。 2.3 元器件引线的成形和屏蔽 导线的端头处理 在模具的垂直方向上开有供插入元件引线的长条形孔，在水平方向开有供插杆插入的圆形孔。元件的引线从上方插入成形模的长孔后，