cuinse2xznse1xcu2snse3xznse1x多组分半导体纳米晶的制备与表征.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 长春理工大学硕士学位论文原创性声明 本人却重声Ijjj：所呈交的硕士学位论文，((CulnS电)、(zrIse)1．、}D(Cu2SnSe3)、(ZnSe)】。 多组分半导体纳米晶的制各与表征》是本人在指导教师的指导下．独立进行研究工作 所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外．本论文不包含任何其他个人或集体已 经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均己在文中 以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 作者签名：压!虹21 1】年—生一月三一ll 长春理工大学学位论文版权使用授权书 本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使 用规定”．同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文 全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位???文的复印件和 电子版．允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或 部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编学位论文。 作者签名：压拯鱼生‘f土月—王一日 指导导师签名：4自j堡；盔卫2口“。l—当L月—：Lu  摘 要 半导体纳米晶在不断发展和完善的功能化纳米材料与器件中扮演着极为重要的角 色，而纳米材料的合成更是纳米材料领域的重要课题之一。半导体纳米晶显示出了不 同于本体材料的量子尺寸效应，已经被广泛地应用于太阳能电池、场效应晶体管、发 光二极管、生物标记等领域。在这些半导体材料中，CulnSe2、Cu2SnSe3等I．IJI．vI、I．rv-vI 族半导体材料，具有禁带宽度与太阳光谱相匹配，高理论转换效率、高光吸收系数、 直接禁带、稳定性好等优点，因此成为了很有发展前景的下一代太阳电池：ZnSe是一 种11一VI族化合物直接带隙半导体材料．禁带宽度为2．7 ev，对于可见光波段的吸收较小， 生长过程中需要的温度比较低．是一种很好的替代毒性CdS作为太阳能电池缓冲层的材 料。 本论文采用了热注射法制各了(CulaSe2)。(ZnSe) (Cu2SnSe3)，(ZnSe)l。多组分半 导体合金纳米晶．通过XKD、EDS、uv．via、XPS、TEM等表征手段对样品的结构， 元素组成，微观结构以及光学性能等进行了表征．并考察了不同反应条件对样品性能 的影响。结果表明通过热注射法制各的半导体合金，其大小可控，带隙可调，台金比 例可任意调节。所得产物的吸收边可覆盖至紫外．可见光．近红外范围，这使其在太阳能 电池、光催化，生物荧光探针等多种领域有了更广阔的应用前景，可以按照不同的使 用目的对太阳能进行合理而且更有效率的利用。 关键词：半导体纳米晶台金热注射法  ABSTRACT Semiconductor nanocD’stais play a maior role in the development and improvement of functional nanoscale materials and devices meanwhile the synthesis of such nanocrystals is one ofthe great importance in the field of nanoscale material science Own to such unique merits as quantum size effect which is different from the one of the corresponding hulk materials has been widely used in solar cells．thin-film transistors．1ight-emiuing diodes (LED)biological labeling and SO On Among these semiconductor materials I-III—VI、 】一Iv-V1 famib semiconductor nanoparticles such as CulnSe2、Cu2SnSe{with optimum width of band gap．high theoretical photoelectric efficiency．extraordinarily high absorption coefficient direct band gap and long—term stabiliD aye considered promising candidates for next generation solar cells As a II一Ⅵcom