第一讲微系统封技术-概论.pptVIP

数字镜面显示（DMD） 改变反射方向 体硅工艺 体硅工艺的典型应用 微泵：具有两个单向阀，当电压施加到极板上时，变形膜向上运动，此时泵室体积增加，压力减小，进水阀打开，液体流进腔室。断电后，相反。泵的基本参数：变形膜面积4×4mm2，厚度25微米，间隙4微米，工作频率1～100Hz，典型值为25Hz，流量为70mL/min 加工工艺路线 驱动部分：可根据各种不同的结构采用高掺杂的硅膜、形状记忆合金、金属膜薄片等。 腔体制备：采用双面氧化的硅片，首先在硅片背面开出窗口（正面用光刻胶保护），放入HF，去除SiO2，去掉光刻胶，放入KOH，腐蚀Si，直到要求的膜厚为止 阀膜制备 阀膜制备 对双面氧化的硅片进行双面光刻 腐蚀SiO2、去除光刻胶、清洗 用KOH腐蚀硅片双面，腐蚀深度10～15微米 去除浅腐蚀面的SiO2（将深腐蚀面保护） 去浅腐蚀面用于键合的金属层 用密闭良好的夹具将有金属的一面保护，再用KOH进行深度腐蚀，直到腐蚀穿透整个硅片。剩下的硅膜即为阀膜厚度 最后将三部分键合到一起 静电微泵结构 表面微机械加工以硅片微基体，通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。硅片本身不被加工，器件的结构部分由淀积的薄膜层加工而成，结构和基体之间的空隙应用牺牲层技术，其作用是支持结构层，并形成所需要的形状的空腔尺寸，在微器件制备的最后工艺中溶解牺牲层 表面工艺常用材料组合 表面加工要求所