Ga掺杂ZnO明导电薄膜的制备与特性分析.docx

中文摘要摘 中文摘要 摘 要 ZnO薄膜是一种II．VI族直接宽带隙半导体材料，具有资源丰富、无毒性、在 等离子体中稳定等优点，被认为是最有希望取代广泛使用的、稀有而昂贵的锡掺 杂氧化铟(ITO)的透明导电膜，在太阳能电池、液晶显示器、发光器件、气敏传感 器等光电产业领域具有广阔的应用前景，近年来已引起了国内外的广泛关注。但 本征ZnO的导电性能较差，为提高其导电性能和稳定性，常用舢、hl、Ga等III 族元素掺杂，其中研究较成熟的是Al掺杂ZnO。与Al掺杂ZnO薄膜相比，Ga 掺杂ZnO(ZnO：Ga)薄膜具有抗氧化性更强、晶格变形更小等特点，目前，ZnO：Ga 薄膜的研究报道相对较少，有必要对其进行系统的研究，为其在光电器件等方面 的应用奠定基础。 本论文利用射频磁控溅射法在玻璃和石英衬底上制备了ZnO：Ga薄膜；用 XRD、SEM、XPS、Hall测试和紫外．可见．红外分光光度计等测试手段对沉积的薄 膜进行了表征和分析；研究了ZnO：Ga薄膜的结构、形貌、成分、导电、透光、热 电和N02气敏特性，计算了薄膜的光学常数，并研究了光致发光性质。得到的主 要结果如下： ①所制备的ZnO：Ga薄膜为多晶纤锌矿结构。薄膜表面平整、致密，具有c 轴择优取向。提高衬底温度、减小溅射压强、增加膜厚、提高溅射功率，在空气 和氮气中退火有利于提高薄膜结晶度，掺杂浓度为3at．％的薄膜的结晶度最优。 ②ZnO：Ga薄膜中含有Zn、Ga、O和C元素，提高衬底温度，薄膜中Ga和 氧空位的浓度均增大，导致载流子浓度增大，利于薄膜导电性能的提高。 ③ZnO：Ga薄膜为n型导电，其光电性能与制备参数密切相关，衬底温度越 高、溅射压强越小、薄膜越厚、溅射功率越大，利于提高薄膜的导电性能，而在 空气和氮气中退火后薄膜的导电性能降低。ZnO：Ga薄膜在可见光范围的平均透光 率一般可达80％以上。增加溅射压强、溅射功率和进行退火处理利于提高薄膜的 透光率，衬底温度和Ga掺杂浓度对透光率没有明显影响。综合考虑导电性和透光 性，获得了最佳工艺条件：衬底温度300℃、Ga掺杂浓度3at．％、溅射压强2．0Pa、 溅射功率150W、溅射时间2h、靶基距7．0cm，在该条件下制备的ZnO：Ga薄膜， 电阻率为1．41xlO。Q·cm，透光率超过85％，达到了透明导电膜的性能要求。 ④ZnO：Ga薄膜有显著的塞贝克效应，其塞贝克系数为负值，进一步说明其11 型导电特征。典型地，衬底温度200。C下，3at．％Ga掺杂ZnO薄膜的塞贝克系数 为一54．31I．tV／K，功率因子为7．53x10。5W／K2ffl。磁场作用下，ZnO：Ga薄膜具有较强 的磁阻效应和磁热电效应，磁感应强度越大，磁阻和磁热电效应越明显。 重庆大学博士学位论文⑤ZnO：Ga薄膜的光学带隙与制备参数有关。提高衬底温度和溅射功率、降 重庆大学博士学位论文 ⑤ZnO：Ga薄膜的光学带隙与制备参数有关。提高衬底温度和溅射功率、降 低溅射压强，光学带隙增大；增加Ga掺杂浓度和膜厚，光学带隙先增加后减小； 在空气和氮气中退火，光学带隙减小。 ⑥ZnO：Ga薄膜的光致发光谱由一个近带边发射峰和多个深能级发射峰组成， 其中位于467nm处的蓝光深能级发射峰最强。在空气和氮气中退火后，薄膜的深 能级发射峰强度变大，与光生非平衡载流子的辐射复合增加有关。 ⑦对比了Swanepoel和无约束优化方法的计算结果，发现无约束优化方法计 算的膜厚和拟合的透射光谱与实测值更为吻合，优于Swanepoel方法。 ⑧用无约束优化方法计算了多种厚度ZnO：Ga薄膜的光学常数(包括膜厚在 100nm以内的较薄的薄膜)，结果表明：ZnO：Ga薄膜的折射率在紫外区域随着波 长的增加而急剧减小，在可见光区介于1．73至2．15之间，变化较小。在435．600nm 波长范围，膜厚越大，折射率越小。消光系数在紫外区域随波长的增加急剧下降， 在可见光区域，变化缓慢，逐渐趋于0。 ⑨ZnO：Ga薄膜具有较好的N02气敏性能，Ga掺杂含量为lat％的ZnO薄膜 在250℃时，气敏性能最好，对5ppm和200ppm N02气体的灵敏度分别为2．34和 】35．90。 关键词t ZnO：Ga薄膜，光学特性，电学特性，热电特性，气敏特性 II 英文摘要AB 英文摘要 AB STRACT ZnO film is a II-VI semiconductor material with a wide direct band gap．Due to its various advantages，such as abundance，non-toxicity,good stability in plasma ere，it is considered as the