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内存和FLASH的区别总结 　　内存R(AMRO或M)和FALHS存的储真正别区结20总90-11-2 1940:63R.MO和AR指的都M是半体存储器导 　　1R）OM是eRa dnOylMem ro的缩写y 　　一是种半体内存导，特性其是旦储存资料一就法再将无之变改删或除。通用常不需在经变常资更的料子或电脑系电中统资料，并且不因为电会关闭源而失消。只能读 　　事出先存数据的固态半导体存储所。英器简称文RO。ROMM所存数，一据是装入般机前事整写好先，的机整工过作中只能程读出，不像随机存而储器那样快速能、地方地加以改便。写RM所存数O据定 稳，断后电存数所也据不会改变；其结构简较，单出较方读便，而常用于因存各种固储定序和程数据除少。品种的数读存储只（器如符发字器）生以可用之外通不，同户用所需只存储读器内的不同容。为便 　　于 使用和大 量 批生产 ，进一发步展了可编只程存储读（器RPM）O可擦可编、序程只存储器（读PROM）和电可E擦编可程读只存器（储EPROEM）。EROP需用紫外光M长间照时才能射除擦，使很用方便不。2世0纪8 0代制出年的 EPROM E，服克了PROEM的足不但集，度不成 高，价较格。于是贵又开发出一新型种存储单的结元构 EP同ROM相 似的快存储闪 。其器集成高、度功耗 低、积小 ，体又在线能速擦除 快，因而获得速飞发，展有并可能代现取的行盘硬软和盘而成主为要的大量存储媒容。体大分部只存储读用器属金氧-物化半导体-M（OS）效场管制应。 　　成2）R 　　M是RaAnom AdccessMemo yr缩的。写又 　　称为随存机取储器；存存储单元内的可按需容随取出或存意入，且取的存度与速储存元单的置无位的存储关。这种存储器在器断电将丢时失存储其容，内主要用于故存短储时使间的用程序。 　　简单说，在地算计中，机ARM R、OM都是据存储器数。RM A随是机取存存储器，的特点它是易挥发性，掉电失忆即R。O 通M常指固化存储(器次写一，反入读取复)，的特点与它RAM 相反。OM又分一R性次化固、擦光除和擦除电重两写类型。种 　　RO在系M统止供停的电候仍时然以可持保数，据而RAM通常是在掉电之都就后失数据丢典型的，RM就A计是机算内存。 的 　　4. 　　AR分为两大类M： 　　1一种称）静为R态M（StAtiacRA /SRMA），MSAR速M度常非快是，目前写最读快的储设存备，但了它是也常昂非，贵以只在要求很所苛的刻方使用地，譬CP如U一的级冲缓，二级冲缓。 　　2另）种称一为动态RM（AyDnamci RMA/RADM，）RAMD保数留的据时间短，速度很也SR比AM，慢不过它是比任还何的OR都M快要，从但价上来说DRAM格比S相RA要M宜便很，多算机内计存就是RDM的。 A 　　DRAM 　　为很多分，常种的见主要F有PRM/AFatsaPe、gDERAO、MSDAM、RDD RRMA 　　、RRAM、SGDRA以及WRAMM，等这里介绍其中的 　　一D种DR RA。M 　　DDR AM（RaDetRa-e tAM）R也称作DD RSRAM，这种D进型改R的M和ADSAM是基本一样R的，不之处在于同它以可一个在钟时读两次数据写，样这使得数据传输就速度加了倍这。是目电前脑用得中多的内存，最且而它着有成本势优事实上击败了I，ntle另的外一种内标准－存aRmbu DsAR。M在多高很的显卡端上，配备也了速高DD RRM来提A高宽，这可带大以幅提度3D加高卡的速像渲染能素。力 　　5再不.白明请的例子看： 　　举个例子手，机件一软放在E般EPROM，我们中电打话，些有后最打的拨号，码暂时存是SR在M中的，A不马是上写通入过录记通话（录记存在EEP保RO中M，因）为时当有重要工作很（话通）要，如果做写，漫长的入等是待用让忍无可忍户的。 　　FLSA存H器又称闪存，储结它了ROM和合RM的长A处，仅不具备子可擦电除可编（程EEPOMR的）能，还不会断电丢失数性同时可据快以读取数据速NVR（MA的势）优，U和M盘P里用3的是这就种储存。器在去的过20里，嵌年式系入一统使用直RMO（EROP）作为它们M的储设存备，然近而来F年asl全h面代替了ORMEPRO（）在M嵌入系统中的地位，式用存作储Bootlaoer以d操作系及或统程者代序或者直接码硬盘使当（用U盘。 　　） 　　目前Flsha要有两种NOR主Flash和NA D FNashl。 　　NO FRlash的取读和我们常见的DRSMA读的是取一样，户可以用直运行装载接NOR在FL AH里面S的代码，样这可减以少RAM的容S从而节约量了本。 　　成 　　AND NFalh没有采s取内存的机读取随技，术的读它是以取一次读一取的块形式进行的，通来常一是读取