第1节 半导体器件习题及答案.docVIP

第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用√表示对,用×表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。（ ） 1、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。（ ） 1、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到 （ ） 、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有 很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷 7、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压 时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。（1．15% 1．大于15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。（2．增大2．减小；2．基本不变） 温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________（1．上移1．下移1．不变）说明此时反向电流________（2．减小 2．增大2．不变）. mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ] I=2mA B.I2mA C.I2mA D.不能确定 图1.10 图1.11 图1.13 11、图1.11所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温 度上生到为40OC时,则UD的大小将是[ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升 到40℃时，则I的大小将是 。 A. I=2mA B. I2mA C. I2mA 13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击 穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ] A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA 14、二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮 的灯是_________。 A. b B. c C. a 16、二极管电路如下图1.16所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压Vo为______。(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V 图1.15 图1.16 图1.17 图1.18 17、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压Vo为______(设二极