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1.1半导体基本知识 1.1.1 本征半导体 1．导体、绝缘体和半导体 2．本征半导体 化学成分纯净的半导体称为本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1．导体、绝缘体和半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素 2．P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素 3．杂质对半导体导电性的影响 在本征半导体中掺入微量杂质元素，就可使半导体的导电性大大提高。 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成及其特性 1．PN结 在一块本征半导体的两侧通过扩散的的方法掺入不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 2. PN结的单向导电性 1.2.2 二极管的结构和类型 极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 1.2.3二极管的伏安特性 1.2.4二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。 1.3 双极型三极管 1.3.1三极管的结构与分类 三极管有两种类型：NPN型和PNP型 ;从结构上可将三极管分为三个区：基极 、发射极 、集电极 1.3.2三极管的电流放大作用 1．三极管的电流分配关系：IE= IC+IB 2．三极管的电流放大系数： 1.3.3三极管的共射特性曲线 1 ．输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系 2．输出特性曲线 输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系 1.3.4三极管的主要参数 1．电流放大系数——表征三极管放大能力 2．极间反向电流——表征管子稳定性 3．极限参数——表征三极管安全工作范围 1.4场效应管 1.4.1结型场效应管 1．结型场效应管的结构：N沟道和P沟道两类 2．结型场效应管的工作原理 ：当漏、源之间电压一定时, 漏极电流的大小受栅源电压的控制，即输出电流受控于输入电压，并且几乎不产生输入电流。 1.4.2绝缘栅型场效应管 1．N沟道增强型MOSFET uDS使导电沟道变得不等宽，uGS改变了沟道宽度，故在一定的情况下，改变的大小就可以控制iD的大小，即实现了输入电压对输出电流的控制，并且不产生输入电流。 2.1 2.1放大电路的基本概念 2.1.1放大的概念 所谓放大，实质上放大的过程是实现能量转换的过程。 在电路中可有三种不同的连接方式 ： 图2-1 放大电路中三极管的三种连接方式 1 1．放大电路的组成 2．放大电路的组成原则 2.1.3放大电路的主要性能指标 1．放大倍数 图2-2 基本共（发）射（极）放大电路 2 2．输入电阻ri 3．输出电阻ro 图2-4放大器的等效模型 2 2．输入电阻ri 3．输出电阻ro 图2-4放大器的等效模型 图 图2-7 基本共射放大电路的直流通路 2.2.2放大电路的工作过程 1．静态工作情况 根据基尔霍夫第二定律得出静态时的基极电流 2．动态工作情况 当iC增大时，uCE减小，即uCE的变化与iC相反 2.3 2.3基本放大电路的分析方法 2.3.1放大电路的图解分析法 以图2-6为例来介绍图解法，设图中 图2-9 用图解法确定静态工作点 （1 （1）由直流通路画出直流负载线 （2）估算 由交点确定 ， 图2-10 动态工作图解 解： 2.4 静态工作点对波形失真的影响1、饱和失真2 解： 2.4 静态工作点对波形失真的影响 1、饱和失真 2、截止失真 2.5分压式偏置电路 2.5分压式偏置电路 1、稳定静态工作点的原理 图2-13 分压式偏置放大电路 （1）用分压电阻固定基极电位 2.5分压式偏置电路 2.5分压式偏置电路 1、稳定静态工作点的原理 图2-13 分压式偏置放大电路 （1）用分压电阻固定基极电位 （ （2）交流参数的估算 图2-14 微变等效电路 2.6放大电路三种基本组态2.6.1共集电路1、静态工作点的计算2、交流参数的估算图 2.6放大电路三种基本组态 2.6.1共集电路 1、静态工作点的计算 2、交流参数的估算 图2-15 基本共集放大电路 2.6.2共基极放大电路图2-16 共基放大电路 2.6.2共基极放大电路 图2-16 共基放大电路 2.6.3放大电路三种基本组态的比较 2.6.3放大电路三种基本组态的比较 三种组态放大电路性能参数的比较如表2-1所示 2.7放大电路的耦合方式及频率特性