掺杂ZnO薄膜中第二相和缺陷的生长过程研究.PDFVIP

博士学位论文公示材料 学生姓名 高杨 学号 1410156 二级学科 材料科学 导师姓名 王强 论文题目 掺杂ZnO 薄膜中第二相和缺陷的生长过程研究 论文研究方向 半导体薄膜制备 论文关键词 ZnO 薄膜；生长方法；分子动力学模拟；缺陷；强磁场 论文摘要(中文) 由于独特的晶体结构和能带结构，ZnO 半导体材料在光学、电学、磁学等多个领域具有重要应用， 是制备多功能器件的理想材料。尽管如此，但近些年一些关键问题没有实质突破，使ZnO 材料的研究 遭遇瓶颈。当前，两个极具争议的问题成为ZnO 基材料的研究热点和突破难点，即如何获得高质量的 p 型导电ZnO 薄膜和ZnO 室温铁磁性产生的机理。而研究者普遍认为对ZnO 材料实现有效掺杂及控制 内部缺陷种类、数量是解决以上问题的主要方法。但ZnO 薄膜掺杂及本征缺陷形成过程对薄膜的生长 环境十分敏感、不易控制，往往生成过多的第二相及缺陷，对ZnO 基薄膜磁、光、电学性能有着显著 的影响。除此之外，对于应用在半导体器件上的ZnO 基薄膜，必须控制制备工艺以获得稳定的高质量 薄膜。因此，本文考察一些典型生长条件下ZnO 基薄膜中第二相与缺陷的生成过程，及生长方法对第 二相与缺陷种类及含量的影响，揭示了掺杂ZnO 薄膜中第二相与缺陷的形成机理，获得制备高质量的 ZnO 基薄膜的有利生长条件，并为ZnO 基薄膜p 型导电性和室温铁磁性来源提供一些思路和方案。 本文选择Co、Cu 作为掺杂元素，采用氧化生长和原位生长两种方法制备了Co 掺杂ZnO(ZnO:Co) 薄膜和Cu 掺杂ZnO(ZnO:Cu)薄膜。在氧化生长中分别采用电沉积方法和真空热蒸发方法制备金属膜， 氧化生长后生成 ZnO:Co 和 ZnO:Cu 薄膜。原位生长是采用 RF 原子源辅助真空热蒸发方法原位沉积 ZnO:Co 和ZnO:Cu 薄膜。在薄膜的生长过程中考察了掺杂成分、金属膜生长方式、氧化温度及强磁场 条件对薄膜中第二相和缺陷生长过程及生成的种类和数量的影响，提出了 ZnO:Co 薄膜铁磁性和 ZnO:Cu 薄膜p 型导电性的可能来源。另外，本文还采用分子动力学方法模拟了ZnO 的氧化生长和原位 生长过程，从原子尺度揭示了不同制备方法的生长机理，为制备出高质量、高性能的ZnO 基薄膜提供 理论依据。主要结果如下： (1) 电沉积金属膜氧化生长掺杂ZnO 薄膜。该方法制备的ZnO:Co 薄膜具有室温铁磁性，在薄膜中 检测到掺杂的Co2+ ，第二相Co 团簇和氧空位(V )缺陷。相对于氧化物第二相，过量的Co 元素更易以 O Co 团簇形式存在与薄膜中。ZnO:Co 薄膜中铁磁性来源与Co 团簇含量有密切关系，当Co 团簇含量较 多时，Co 团簇为铁磁性的来源；而Co 团簇含量较少时，VO 为铁磁性的来源。 (2) 真空热蒸发金属膜氧化生长掺杂ZnO 薄膜。金属膜生长方式对氧化生长ZnO:Co 薄膜中第二相、 缺陷形成具有明显影响，多层膜结构不利于氧化生长；双层膜结构氧化生长后VO 缺陷含量相对最多； 共沉积膜结构氧化生长后表面光滑致密，实现掺杂的Co2+含量相对最多。另外，相对与原位生长方法， 采用氧化生长方法，由于氧化反应不易完全充分进行，生成的 ZnO 薄膜中易存在大量的 VO 和位错缺 陷。 (3) RF 原子源辅助真空热蒸发原位生长掺杂ZnO 薄膜。薄膜表面光滑致密，沉积层内主要以点缺 陷为主，表面质量和结晶性整体显著高于氧化法生长的薄膜。在所制备的ZnO:Cu 薄膜中，薄膜中Cu 2+ + 含量较低时，只存在Cu 态，薄膜呈n 型导电。随着薄膜中Cu 含量的增加，Cu 元素更多以Cu 态进 行掺杂，薄膜呈现p 型导电。另外在薄膜的沉积过程中，Cu 和Zn 易先形成Cu-Zn 团簇再共同沉积到 薄膜中，这导致ZnO 薄膜中主要缺陷由施主型VO 变为受主型锌空位(VZn) ，有助于降低自补偿效应， + 稳定p