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一、PSG单、多晶硅片表面化学腐蚀处理 目的 1.规范操作作业，指导操作员的操作方法，操作步骤及操作注意事项。 2.去磷硅玻璃主要反应方程式:SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2 3. A.磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 B.死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 原理 利用HNO3和HF的混合液体对硅片表面进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 范围 本指导书适用于硅片湿法刻蚀工序。 职责 1.所有操作人员都必须严格按照本档进行操作。 2.在操作过程中遇到问题应及时向工艺人员反应，工艺人员及时提供帮助。 什么是PSG 意为含有P、P2O5的二氧化硅。由于在扩散过程中干氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5后，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n行层，部分则留在了SiO2中形成PSG。 PSG制绒流程 作用内容： 一、操作前准备： 1.正确穿好工作服、鞋、帽，戴好口罩、手套（如图1）。 2.工具要求：手套、四探针测试仪、酒精、下料盒、碎片盒、电子称。