2018年关于碳化硅功率器件的调研.docVIP

关于碳化硅功率器件的调研 　　关于碳化硅功率器件的调研 　　前言 　　以硅器件为基础的电力电子技术，因大功率场效应晶体管(功率MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而日臻成熟。目前,这些器件的开关性能己随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限,依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。 　　首先,硅低的击穿电场意味着在高压工作时需要采用厚的轻掺杂层,这将引起较大的串联电阻,特别是对单极器件尤其如此。为了减少正向压降,电流密度必须保持在很低的值,因此硅器件的大电流是通过增加硅片面积来实现的。在一定的阻断电压下,正向压降由于载流子在轻掺杂区的存储而降低,这种效应称为结高注入的串联电阻调制效应。然而存储电荷的存储和复合需要时间,从而降低了器件的开关速度,增加了瞬态功率损耗。硅器件由于小的禁带宽度而使在较低的温度下就有较高的本征载流子浓度,高的漏电流会造成热击穿,这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。其它限制是硅的热导率较低。 　　于是,依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求,早在世纪交替之前就在电力电子学界与技术界形成共识,对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。 　　1 碳化硅材料 　　以SiC,GaN为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅和砷化镓为代表的第一代第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。表1列出了不同半导体材料的特性对比。从表中可以看出，碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高，还具有电子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制作各种耐高温的高频大功率器件。SiC由碳原子和硅原子组成,其晶体结构具有同质多型体的特点，在半导体领域最常用的是4H-SiC和6H-SiC两种。 　　表1 不同半导体材料的特性对比 　　SiC 类型 Si GaAs GaN 4H-SiC 6H-SiC 3C-SiC 禁带宽度/eV 1.12 1.42 3.45 3.2 3.0 2.2 击穿电场0.6 0.6 1 2.2 2.4 2 (MV/cm) 　　热导率1.5 0.5 1.3 4.9 4.9 5 (W/cm.k) 　　介电常数 11.9 13.1 9 9.7 9.7 9.72 电子饱和漂 　　移速度(10e7 1.0 1.2 2.2 2 2 2.2 　　cm/s) 　　电子迁移率1200 6500 1250 1020 600 1000 (cm2/v.s) 　　空穴迁移率420 320 850 120 40 40 (cm2/v.s) 　　　　碳化硅材料的优异性能使得SiC电力电子器件与Si器件相比具有以下突出的性能优势: 　　?SiC电力电子器件具有更低的导通电阻。在击穿电压较低(约50V)时，SiC功率器件的比导通电阻仅有1.12u欧，是Si同类器件的约1/100。在击穿电压较高(约5kV)时，比导通电阻增大到29.5m欧，却是Si同类器件的约1/300。 　　?SiC电力电子器件具有更高的击穿电压。这是因为碳化硅器件的击穿电场高。 　　?SiC电力电子器件的工作频率更高。SiC的饱和电子漂移速率更快，是Si的2倍。因而SiC电力电子器件的开关速度更快，开关损耗更低，在中大功率应用场合，有望实现Si功率器件难以达到的更高开关频率(=20kHz)。 　　?SiC电力电子器件具有更低的结-壳热阻。由于SiC的热导率是Si的3倍以上，因而制成的电力电子器件的散热性更好，器件的温度上升更慢。 　　?SiC电力电子器件能够在更高的温度下工作。SiC的禁带宽度是Si的2倍以上，SiC电力电子器件的极限工作温度有望达到600摄氏度以上，远高于Si器件的115摄氏度，从而器件的冷却系统可大为简化。 　　?SiC电力电子器件抗辐射能力极强。辐射不会导致SiC的电气性能出现明显的衰减，因而在航空领域应用基于SiC电力电子器件的功率变换器可以减轻辐射屏蔽设备的重量，提高了系统的性能。 　　尽管与Si功率器件相比，SiC电力电子器件具有诸多优势，但目前仍存在不少限制其广泛应用的不利因素，主要有: 　　?产量低，成本高。由于SiC存在微管缺陷，难以生产尺寸较大的SiC晶圆，因而SiC晶圆的成本较高，相应地SiC电力电子器件的价格也远高于Si功率器件。 　　?器件类型和规格有限。目前，成功实现商业化的SiC功率器件包括SBD、BJT、JFET和MOSFET，且这些器件的功率处理能力较小，型号较少。而广泛应用于大功率场合的IGBT和GTO等器件尚处于实验室开发和测试阶段。 　　?缺乏高温封装技术。尽管采用SiC材料制造的管芯能够承受很高的工作温度，但目前的封装技术主要针对Si功率器件，大多低于