模拟电子 考试题目 暮燕飘零.doc

第一章 一、填空： 1、在本征半导体中掺入 三 价元素即成P型半导体，掺入 五价元素即成N型半导体。 2、某三极管的电流值：IB =20?A时IC =2mA、IB =80?A时IC=8mA，该管的? = 100 。场效应管的输入电阻比晶体三极管(BJT)的输入电阻 大 （大/小）。 3、三极管能起放大作用的内部条件是：基区掺杂质浓度比发射区杂质浓度 低 （低/高），基区宽度 窄 （宽/窄），集电结面积比发射结面积 大 （大/小/相等）。 4、电路如图1所示，二极管D1、D2为同一型号的理想元件，电位VA=1V，VB=3V，则电位VO等于 1.7V或1V 。 5、电路如图2，图中LR是红灯、LG是绿灯、vS为频率较高的交流电源。开关S扳至1位置，则 LG 灯亮，开关S扳至2位置，则 LR、LG 灯亮，开关S扳至3位置，则 LR 灯亮。 图1 图2 二、选择题： 1、某二极管的反向饱和电流在温度为20时是2μA，则当温度是60时其反向饱和电流为（ D ）。 A.6μA B.8μA C.16μA D.32μA 测得放大电路中的某三极管三个极的电位分别如图所示 6V1.7vV2、则a管是( A ) 6V 1.7vV 0V3V1V3.2VA.NPN型硅管 B.NPN型锗管 0V 3V 1V 3.2V C.PNP型硅管 D.PNP型锗管 3、则b管是( D ) (a) (b) A.NPN型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型硅管 D.PNP型锗管 4、下列四个电路元件符号中，表示P沟道增强型FET的是（ C ）。 5、某发光二极管用作通电指示，其流过的电流I必须：5mA I 15mA，正向压降约2V，则下列接法及限流电阻取值均正确的是（ B ）。 第二章 一、填空题 1、共射、共集、共基三种放大电路中，同时具有电流和电压放大倍数的是 共射 电路；输入电阻最大的是 共集 电路；高频特性最好的是 共基 电路。 2、在下图所示电路中，当Ce断开时，下列参数的变化趋势：将 减小 ，Ri将 增大 。 二、选择题 1、对于共集电极放大电路，下列说法正确的是( A ) 输入电阻高，AU小于1 输入电阻小，AU小于1 输出电阻高，AU小于1 输出电阻高，AU1 2、下列四个电路中，不可能工作于放大状态的是（ C ） 3、如图所示的复合管，设T1及T2管的β值分别为 β1和β2，则其复合管的β为（ D ）。 A. β=β1+β2 B. β=β1 T2 C. β=β2 D. β≈β1β2 T1 4、如图所示的输出特性曲线、负载线图解中，静态 工作点Q1～Q4中最易引起截止失真的是（ A ）。 A.Q1 B.Q2 C.Q3 D.Q4 三、分析及计算题： 1、如图所示的电路，晶体管β=100，rbb’ =100Ω，UBE =0.7V，C1,C2,Ce均足够大，试计算电路的静态工作点，画出交流微变等效电路并求Au，Ri，Ro。 解：静态工作点： 微变等效电路如下： 第三、四、五章 一、填空 1、采用电容耦合的多级放大电路不能放大 直流 （直流/交流）信号。 2、集成运放内部采用电流源电路来做 偏置电路 和 负载 ，大大提高了电路性能。 3、在双端输入、输出的理想差分放大电路中，若两输入电压Vi1=Vi2，则输出电压Vo= 0 ，若Vi1=+1500μV，Vi2=+500μV，则可知差动放大电路的输入差值电压Vid= 1000μV 。 4、某放大电路的对数幅频特性如下图所示，则： （1）此放大电路的通频带为（100000-100）Hz； （2）在fL处附加相移是 +45 度，在fH处附加相移是 -45 度？ 5、某放大电路的对数幅频特性如上图所示，试求： （1）中频电压放大倍数= 100 倍； （2）实际上在fL和fH处仅为 37 dB。 6、在如图所示的典型差分放大电路中， 为了提高共模抑制比，通常用 电流源 电路代替Re。 二、选择题 1、集成运放内部电路常采用互补对称电路来作输出级，是因为这种电路（ B ）。 A.电压放大倍数大 B.输出电阻小，带负载能力强 C.输出电阻大 D.温漂小 2、某放大器由两个相同的放大电路组成，若每个放大电路的通频带均为15KHz，则此放大器的总通频带为（ D ）。 A. 15KHz B. 30KHz C.大于15K