D的高斯定理与磁学比定律gai.pptVIP

课程内容提要 导体与电介质的区别与联系 导体与静电场的相互作用：静电平衡 电容与电容器（重要考点） 电介质与静电场的相互作用：电介质的极化 电介质中静电场的高斯定理与安培环路定理 D、E、P三矢量之间的联系与区别 介质中静电场的高斯定理(重点) 定理内容：通过任意闭合曲面的电位移通量，等于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和。 讨论： 1）D、E、P三矢量之间的联系与区别； 线性且各向同性的电介质： 一般情况： 2）电介质中电位移的高斯定理和真空中电场强度的高斯定理的区别与联系； 3）电位移的通量与高斯面内的极化电荷无关，而只与自由电荷有关。 介质中静电场的高斯定理的应用以及静电场的能量 介质中静电场的 高斯定理(重点)的应用 介质高斯例一 介质高斯例二 课堂练习 把一块相对电容率r=3的电介质，放在相距d =1 mm的两平行带电平板之间.放入之前，两板的电势差是1000 V. 试求:两板间电介质内的电场强度E ，电极化强度P ，板和电介质的电荷面密度，电介质内的电位移D？ 解 r =3， d=1 mm， U=1 000 V r =3， d=1 mm， U=1 000 V 电介质中静电场的 安培环路定理 ——对静电场是否有旋（环流）描述 介质环路定理 电容和电容器 导体的一个重要应用 ——储存电荷 一个大小与形状一定的导体能储存多少电荷？ 导体表面处的电势和场强为： 电容