第18章pt课件.ppt

18.1 可编程逻辑器件概述 18.2 可编程只读存储器（PROM） 18.3 可编程逻辑阵列PLA 18.4 可编程陣列逻辑PAL 18.5 通用阵列逻辑GAL 本章小结　 18.1 可编程逻辑器件概述 从图中可以看出，门阵列交叉点上的连接方式共 有三种情况： （1）固定连接：固定连接是不可以通过编程改变 的连接点。 （2）可编程“接通”单元：它依靠用户编程来实 现“接通”连接。 （3）可编程“断开”单元：编程实现断开状态。 这种单元又称为被编程擦除单元。 18.1.2基本门电路的PLD表示法 PLD的输入缓冲器真值表列于表18.1中。 一个4输入端与门的PLD表示法如图18.2(a)所 示。图中L1=ABCD，通常把A、B、C、D称为输入项，L1称为乘积项（或简称积项）；4输入端或门如图18.2 (b)所示，其中L2＝A十B＋C＋D。 PLD表示的与门阵列如图18.3所示。 图18.3中与门G1对应的所有输入项被编程接通， 输出项恒等于0，这种状态为与门编程的默认状态， 如图18.4所示。 思考题 试用PLD表示法表示出逻辑关系L= 试用PLD表示法表示出逻辑关系L= PLD用哪两个门阵列构成? 18.2 可編程只读存儲器（PROM） 18.2.1 PROM的结构及原理 PROM的总体结构由存储矩阵、地址译码器和输出 电路组成。不过在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉 点上全部制作了存储元件，即相当于在所有存储单元 中存入了1。 图18.5是熔丝型PROM存储单元的原理图。 18.2.2 可擦除的可编程只读存储器（EPROM） EPROM是用紫外线照射进行擦除的。 EPROM与前面已经讲过的PROM在总体结构形式上 没有多大区别，只是采用了不同的存储单元。 EPROM的存储单元使用了浮栅雪崩注入MOS管及 叠栅注入MOS管。 1.浮栅注入MOS管(FAMOS) 它的结构示意图和符号如图18.7所示。 如果在它的漏极和源极之间加上比正常工作电 压高得多的负电压（通常为－45V左右），则可使漏 极与衬底之间的PN结产生雪崩击穿，耗尽区里的电 子在强电场作用下以很高的速度从漏极的P＋区向外 射出，其中速度最快的一部分电子穿过SiO2层而到 达浮置栅，被浮置栅俘获而形成栅极存储电荷。这 个过程就叫做雪崩注入。 如果用紫外线或X射线照射FAMOS管的栅极氧化 层，则SiO2层中将产生电子——空穴对，为浮置栅 上的电荷提供泄放通道，使之放电。待栅极上的电 荷消失以后，导电沟道也随之消失，FAMOS管恢复 为截止状态。这个过程称为擦除。擦除时间约需20 ～30分钟。 用FAMOS管作存储单元时，还要用一只普通的P 沟道MOS管V2与之串联，如图18.8所示。 这只普通MOS管的栅极受字线控制。产品在出厂 时所有的FAMOS管都处于截止状态。 在进行写入操作时，首先输人选好的地址，使 需要写入数据的那些单元所在字线为低电平。 然后，在应该写入1的那些位线上加入负脉冲， 使被选中的单元内FAMOS管发生雪崩击穿，存储单元 记入1。 在读出数据时，只需输入指定的地址代码，相 应的字线便给出低电平。这根字线所接的一行存储 单元中栅极已注入电荷的 FAMOS管导通，使所接的 位线变成高电平，读出1； 栅极未注入电荷的FAMOS管截止，所连接的位线 为低电平，读出0。 2.叠栅注入MOS管（SIMOS管） 图18.9是SIMOS管的结构原理图和符号。它是一 个N沟道增强型的MOS管，有两个重叠的栅极——控 制栅Gc和浮置栅Gf控制栅Gc用于控制读出和写入，浮 置栅Gf用于长期保存注入电荷。 写入数据时漏极和控制栅极的控制电路没有画 出。这是一个256×l位的EPROM，256个存储单元排 列成16×l6矩阵。输入地址的高4位加到行地址译码 器上，从16行存储单元中选出要读的一行。输入地 址的低4位加到列地址译码器上，再从选中的一行存 储单元中选出要读的一位。如果这时 =0，则这一 位数据便出现在输出端上。 采用SIMOS管的EPROM同样能用紫外线擦除，然 后重新写入新的数据。 思考题 PROM有什么缺点？EPROM如何克服PROM的缺点的？ 什么叫做FAMOS管的雪崩注入过程？ 18.3 可编程逻辑阵列PLA