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空位缺陷对单层MoS2电子结构的影响

第44 卷 第3 期 稀有金属材料与工程 Vol.44, No.3 2015 年 3 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING March 2015 空位缺陷对单层MoS2 电子结构的影响 1 1 1 1 1 2 雷天民 ,吴胜宝 ,张玉明 ,刘佳佳, 姜海青 ,张志勇 ( 1. 西安电子科技大学,陕西 西安 710071) (2. 西北大学,陕西 西安 710069) 摘 要:为了研究单层MoS2 中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用 平

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