膜去溶和ICP.pdf

新 应 膜去溶和 ICP-MS 联用测定 CMOSII 氢氟酸和丙 用 N e 酮中金属离子的含量 w A p p 刘国强 殷凤娥 江阴市化学试剂厂 l i c a t i o n 摘要 ： 目的建立CMOS II 氢氟酸和丙酮中多元素含量的测定方法。方法 以膜去溶作为进样系统，电感耦合等离子体 质谱仪(ICP-MS) 作为分析仪器，氢氟酸和丙酮都以Cd 作为内标进样，每个样品测定加标回收率。结果 进样 速度快，无基体干扰，稳定性好，结果准确。结论 ICP-MS 是分析HF 和丙酮中金属离子的有效方法，膜去溶 的使用解决了使用玻璃雾化器和石英炬管时氢氟酸无法直接进样的问题，同时也大大降低了进有机样品时C 的沉积和多原子干扰。 关键词 ：氢氟酸 丙酮 电感耦合等离子体质谱仪 多元素 氢氟酸和丙酮都是半导体行业常用的化学试剂，其要 60Ni，65Cu，66Zn，69Ga ，72Ge ，75As ，82Se ，88Sr ， 求3