3.稽纳二极体的应用.pptVIP

2-1　自由電子與電洞 3. 矽（Si）與鍺（Ge）的原子結構 4.電子電洞對 (1)在絕對零度0K時，晶體的作用有如一絕緣 體。 (2)電子由價帶進入傳導帶所需的能量，鍺約 為0.7eV，矽約為1.1eV。 5.電子與電洞之移動 2-2　P型半導體與N型半導體 1.P型材料 (1)摻入雜質（三價元素）：硼（B）、鋁（Al）、 鎵（Ga）、銦（In）等。 (2)受體：雜質原子接受電子而促使電洞的活動。 (3)電性：中性。 (4)多數載子：電洞；少數載子：自由電子。 (5)公式： 自由負電荷濃度　與正電荷濃度　之乘積，在 熱平衡下，與摻入之雜質無關，而為一定值。 2.N型材料 (1)摻入雜質（五價元素）：磷（P）、砷 （As）、銻（Sb）等。 (2)施體：雜質原子含有多餘的自由電子， 意即能夠施予電子。 (3)電性：中性。 (4)多數載子：自由電子；少數載子：電洞。 (5)公式： 3.N型與P型之特性比較 2-3　P-N接面二極體 1.二極體之構造 (1)「＋」：電洞；「－」：電子； ⊕：施體離子；?：受體離子。 (2)離子固定於晶體格中，不可移動。 (3)施體離子→釋放出電子→帶正電 受體離子→吸收電子→帶負電 2.二極體之符號 (1)黑點或黑帶的標記通常指的是陰極。 (2)陽極－較高或正的電位；