下集磁珠电感电阻电容 于噪声抑制上之剖析与探讨.pdfVIP

寄生寄生效应效应 寄生寄生效应效应 除了前述有形的电感与电容外，在高频下，更是会出现无形的电感与电容，亦即 所谓的寄生效应。接下来将探讨寄生效应之注意事项。 前述可知，当两个金属很靠近时，便形成了电容。 因此放大器在闸极与汲极之间，会存在一个既有的寄生电容，又称为米勒电容， 即Cgd 。当电压极低时，其Cgd会变大。 1 下式是Cgd 的容抗，当Cgd变大时，则容抗会变小，因此部分输入讯号，会直接透 过Cgd ，由闸极穿透到汲极，即上图中的Feedthrough现象。因此供给电压不宜过 低，否则讯号会有严重的AMAM与AMPM 失真[89]。 另外，在Layout 时，也要尽量避免寄生电容效应。由[8,62]可知，在阻抗不变情 况下，若拉大讯号线与GND 之间的间距，可使线宽加宽，不仅可使Insertion Loss 变小，同时亦可降低寄生电容对于阻抗控制的影响，尤其对于DCS1800/PCS 1900 这些频段较高的RF 走线，其影响更为明显，因此常看到在一些设计中，会将这 些频段较高的RF 走线，其邻层的GND 作挖空处理，特别是接收讯号走线。 2 而前述已知，功率电感的下方金属挖空，也是为了避免寄生电容效应，使电感性 的频率范围缩减[31]。 有些收发器，会建议收发器所在表层，某些区块需净空，不能铺铜，例如高通的 WTR1605L ， 因为这些区块，正好是VCO 的相关电路，若有表层铺铜，会因寄生效应，导致 调变精确度下降，而导致调制频谱劣化[6]。 3 至于XO ，不但表层周遭要净空，下层更是一定要挖空 因为寄生电容会影响XO 的负载电容，进而影响震荡频率，容易有Frequency error， 因此要特别注意，有些XO 甚至下两层都要挖[6]。 而PA 与ASM ，因为讯号Pad 通常较大，故其讯号Pad 下方也需挖空，避免寄生 电容效应。