外延抑制自掺杂技术.docVIP

PAGE PAGE 21 - LANZHOU 毕业论文 题 目 外延抑制自掺杂技术研究 学生姓名 伏瑜 学 号 专业班级 应用物理（2）班 指导教师 王青 杜金生 学 院 理学院 答辩日期 2012年6月 兰州理工大学毕业论文 目录 TOC \o 1-2 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc327030035 摘要 PAGEREF _Toc327030035 \h 1 HYPERLINK \l _Toc327030036 Abstract PAGEREF _Toc327030036 \h 2 HYPERLINK \l _Toc327030037 第一章 外延技术概述 PAGEREF _Toc327030037 \h 3 HYPERLINK \l _Toc327030038 1.1 概述 PAGEREF _Toc327030038 \h 4 HYPERLINK \l _Toc327030039 1.2 外延工艺知识 PAGEREF _Toc327030039 \h 4 HYPERLINK \l _Toc327030040 1.3外延层制备的主要设备 5 HYPERLINK \l _Toc327030042 第二章 掺杂存在的问题及解决方法 PAGEREF _Toc327030042 \h 7 HYPERLINK \l _Toc327030043 2.1 掺杂过程 PAGEREF _Toc327030043 \h 7 HYPERLINK \l _Toc327030044 2.2掺杂剂的来源 7 HYPERLINK \l _Toc327030045 2.3外延参数的测量与控制 PAGEREF _Toc327030045 \h 8 HYPERLINK \l _Toc327030046 2.4 自掺杂 9 HYPERLINK \l _Toc327030047 2.5自掺杂的抑制 PAGEREF _Toc327030047 \h 10 HYPERLINK \l _Toc327030048 2.6 外延抑制自掺杂的主要技术 PAGEREF _Toc327030048 \h 11 HYPERLINK \l _Toc327030049 第三章 外延抑制自掺杂技术试验研究 PAGEREF _Toc327030049 \h 15 HYPERLINK \l _Toc327030050 3.1 低压外延技术 PAGEREF _Toc327030050 \h 15 HYPERLINK \l _Toc327030051 3.2低温外延技术 PAGEREF _Toc327030051 \h 18 HYPERLINK \l _Toc327030052 3.3 HCL腐蚀抛光技术 PAGEREF _Toc327030052 \h 21 HYPERLINK \l _Toc327030053 3.4 背封技术 PAGEREF _Toc327030053 \h 25 总 HYPERLINK \l _Toc327030054 结 PAGEREF _Toc327030054 \h 27 HYPERLINK \l _Toc327030055 参考文献 PAGEREF _Toc327030055 \h 错误！未定义书签。 HYPERLINK \l _Toc327030056 致 谢 PAGEREF _Toc327030056 \h 29 HYPERLINK \l _Toc327030057 附录一: 外文资料翻译译文 PAGEREF _Toc327030057 \h 30 HYPERLINK \l _Toc327030058 附录二: 外文原文 PAGEREF _Toc327030058 \h 46 摘要 外延层杂质浓度是影响电学性能的重要参数，外延掺杂存在有意识掺杂和无意识掺杂（即自掺杂），自掺杂影响外延生长。自掺杂降低了衬底/外延界面过渡区的陡峭程度，同时也增加了外延淀积过程中的本底浓度。不但对外延层的电阻率控制带来相当大的困难，使外延层界面处杂质分布梯度变缓，外延层有效厚度减薄，PN结击穿电压的显著降低，晶体管的大电流特性变坏，特别不利于要求薄而界面处杂质分布陡的外延层的微波器件的制造。而且一些有害杂质的存在，还会使噪声增加等。 本文对外延淀积过程中