数字设计原理与金实践第三章答案.pptVIP

数字逻辑设计习题解答第三章 王坚 wangjian3630@uestc.edu.cn 3.1 逻辑0 逻辑1以及不确定逻辑 HIGH ABNOMAL LOW 不确定逻辑 因此-0.6V,-2.0V是逻辑0 0V,0.7V是逻辑0 1.7V,2.5V,3.3V为逻辑1 1.6V为不确定逻辑2 VDD = +5.0V VOUT VIN Tp Tn 反向器 不确定逻辑：电路可将其解释为逻辑0也可以解释为逻辑1 3.7 二输入CMOS与非门中晶体管的类型和个数 2个NMOS,2个PMOS VDD = +5.0V Z A B 3.9 对于给定的硅面积，CMOS与非门要CMOS或非门速度要快。N沟道的导通电阻比P沟道的导通电阻低。 VDD Z A B VDD Z A B NAND NOR 3.16 CMOS反向门还是非反向门用的晶体管少？ CMOS反相器所用的晶体管数少，因为CMOS非反相器为2个CMOS反相器串联组成， 且CMOS反相器是CMOS逻辑中用门最少的。（课本60页） VDD = +5.0V VOUT VIN Tp Tn 反向器 3.23如果输出电流为负值，那么是提供电流还是吸收电流？ 输出是提供电流（source） 输入是吸收电流（sink） 因为规定流出节点电流为负，流入节点电流为正。题目说器件输出电流为负值。所以为提供电流。（见图3-53） 3.37一个斯密特反向触发器： HIGH ABNOMAL LOW VILmax VIHmin 滞后为VT+ - VT-=0.5V 3.39 open-drain上拉电阻问题 漏极开路输出： 指漏极通常处于悬空状态，电路输出为高阻态（即断开）。为了使这个器件正常工作，通常在它的输出端上拉一个电阻。 则电路内部断开时则输出为高电平，若内部导通时上拉电阻的另一端则被拉到地，输出为低电平。 上拉电阻之前 上拉电阻后 3.39 open-drain上拉电阻问题 有利 不利 上拉大电阻 功耗降低增大低态噪声容限 时间常数增加 上拉小电阻 增大高电平噪声容限 时间常数减小 功耗增加 开漏形式的电路有以下几个特点：1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。2.可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“线与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。3.由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。4.漏极开路提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。 思考？ 3.42中所提到的线与逻辑为什么比单个与门要慢 3.47 N 输入的二极管与门需要N个二极管 如右图所示N输入的二极管构成的与门，只要有一个输入为低电平，则输出也为低电平，共有N个二极管 VCC D1 D2 Dn-1 Dn X1 X2 Xn-1 Xn Y Y=X1X2...Xn 只要有一个为逻辑0时，输出为逻辑0 所有的为逻辑1时，输出为逻辑1 3.49 TTL 驱动多个TTL（表3-10） 74LS驱动74AS 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=|8mA/-0.5mA|=16 高态扇出：IOHMAX/IIHMAX=|-400μA/20μA |=20 总扇出＝min（高态扇出，低态扇出）=16 ，高态还有剩余驱动能力 所以高态剩余驱动能力：（20-16）*20μA=80μA 74LS驱动74F 低态扇出: IOLMAX/IILMAX =[|8mA/0.6mA|](下取整)=13 高态扇出： IOHMAX/IIHMAX =|-400μA/20μA |=20 总扇出＝min（高态扇出，低态扇出）=13 ，高态还有剩余驱动能力 所以高态剩余驱动能力： （20-13）*20μA=140μA 3.56 噪声门限：多大的噪声会使最坏输出电压被破坏得不可识别 VDD Vout HIGH VOHmin VSS LOW VOLmax VDD HIGH VIHmin VSS LOW VILmax Vin Noise Margin Noise Margin HIGH State Noise Margin : (VOHmin-VIHmin)LOW State Noise Margin : (VILmax-VOLmax) 3.57 CMOS驱动TTL (a)74HCT驱动74LS 低态扇出: IOLMAX/IIL