英寸si基碲镉汞分子束外延工艺研究.pdf

第４２卷　 第７期 　　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．７ 　 ２０１２年７月　　 　 　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｌｙ，２０１２ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１２）０７０７８１０５ ·红外材料与器件 · ３英寸Ｓｉ基碲镉汞分子束外延工艺研究 巩　锋，周立庆，王经纬，刘　铭，常　米，强　宇 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：随着红外焦平面阵列规模的扩大，由于尺寸和成本的限制，传统晶格匹配的碲锌镉衬 底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈，大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。 本文采用分子束外延工艺生长获得了３ｉｎＳｉ基中波碲镉汞薄膜材料，通过采用金相显微镜、 傅里叶红外光谱仪、双晶Ｘ射线衍射仪、湿化学腐蚀位错密度（ＥＰＤ）法、Ｈａｌｌ测试系统等检测