固体物理学课件第六章.pptVIP

1 来看，这平面变成螺旋面，既是说，如果在平面上绕位错线走一圈，就会从左边一个平面转到下(右边)一个原子平面上，也就是说原子平面不再是互相平行的而是以位错线为轴的螺旋面。这就是螺位错的来历。 6.2 线缺陷---位错 螺旋型位错的特征是：1）螺型位错无额外半原子面，原子错排呈轴对称；螺型位错与滑移矢量平行，故一定是直线；3）包含螺位错的面必然包含滑移矢量，故螺位错可以有无穷个滑移面，但实际上滑移通常是在原子密排面上进行,故有限 ；4）螺位错周围的点阵也发生了弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变，无正应变（在垂直于位错线的平上，看不出缺陷）；5）位错线的移动方向与晶块滑移方向互相垂直。 6.2 线缺陷---位错 6.2.3 位错的基本性质 位错线附近原子有明显畸变，所以有较大的形变能。 晶体中的位错使晶体内能增加称为位错能。记为U位错，它包括两部分： U位错＝U中心＋U应变 U中心称为中心区能量，U应变叫作应变能。 6.2 线缺陷---位错 运用弹性力学计算长度位错的应变能为： 刃位错: 螺位错: 混合位错: 式中G是晶体的切变摸量，?是泊松比，r0是虎克定律失效的小区半径，b是伯氏矢量的大小，?是混合位错中位线与伯氏矢量的夹角。 6.2 线缺陷---位错 混合位错可分解成伯氏矢量为bcos?的螺位错和伯氏矢量为bsin?的刃位错。 由于r0一定大于或等于b，而r1 又受晶界限制，所以U应变集中在位错附近。因位错熵引起的能量TS远小于位错的内能，所以常温下位错的自由能近似等于位错的内能,其值为正。故位错是热力学上一种不稳定的晶体缺陷。 6.2 线缺陷---位错 3. 位错的运动 包括滑移和攀移，晶体中的位错总是要从高能位置转移到低能的位置。 滑移是逐步进行的，是一部分原子先移动，然后推动另一部分原子滑移。位错的滑移造成范性形变。 6.2 线缺陷---位错 位错滑移一个原子间距时每个原子移动的距离很小，但在位错扫过的区域积累起接近于b的相对位移。 6.2 线缺陷---位错 当位错线扫过晶面到达表面时，位错消失，晶体沿滑移面移动一个原子的间距的距离（伯格斯矢量），产生范性形变。如果有n个伯氏矢量相同的位错扫过，会在晶体表面产生nb高的台阶。位错的滑移方向是伯氏矢量的方向。 6.2 线缺陷---位错 刃型位错在垂直于滑移方向上的运动称为攀移。多余半晶面伸长，位错向下攀移，称为负攀移；若空位扩散到位错线附近半原子面缩短，位错向上攀移，称为正攀移。 位错的攀移过程就是空位或间隙原子的扩散过程。 6.2 线缺陷---位错 使位错发生攀移的力称为攀移力。包括两部分：1）化学攀移力：不平衡空位浓度施给位错攀移的驱动力。2）弹性攀移力：在垂直于多余半晶面正应力分量作用下，刃位错受到的力。 螺位错没有攀移运动：因为其伯氏矢量平行于位错线，没有多余的半晶面。 6.2 线缺陷---位错 4. 位错与晶体性质的关系 位错是热力学不稳定的线缺陷，具有一定的宽度。杂质在位错线附近聚集，类似一跟高能管道。位错向下攀移形成空位源，向体内释放空位； 位错向上攀移形成空位漏，聚集体内的空位。 位错线附近原子能量高于正常原子的能量，容易被杂质原子替代，形成负电中心，且易被腐蚀。可通过腐蚀坑数来描述位错密度? = n/s （1/cm2) S表示面积，n表示露头的位错数。 6.2 线缺陷---位错 面缺陷是二维缺陷，包括层错、小角晶界、晶粒间界、相界等。 体缺陷是三维缺陷，包括包裹体、空洞、夹杂物、第二相团等。 6.3 面缺陷与体缺陷 1. 层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。 面心立方结构的密堆积面按ABC ABC…顺序排列；六方密堆积面按ABABAB….排列。如果由于某种原因使得从某一晶面原子排列顺序改变了，如： 6.3 面缺陷与体缺陷 （1）原来应该是B层的排列现在由上一层的C落到A层上面，于是层次排列成为ABCA|CABCABC… ，竖线|表示在这里层次的配置发生了错排，叫层错。这种层错的形成可以看成是把B原子层从晶体抽出后，把上面各层垂直落下来的结果。称为内层错，或者叫本征层错。 6.3 面缺陷与体缺陷 （2）如果由外面插入一层晶面而使原子的堆垛次序错配而成的层错,次序变为: ABC|CABCABC …层错发生在竖线的地方，这里C层可看成是从外面插入到A层与B层之间的额外晶面，这种层错称为外层错，又叫非本征层错。 6.3 面缺陷与体缺陷 (3)孪生层错，晶面以某一层对称排列形成：ABCABCACBACBA。 6.3 面缺陷与体缺陷 层错对晶体的影响在于层错面两侧的晶体结构相应于理想情况作了一个特定的非点阵相对平移，并未改变原子最近邻的关系，只产生次近邻的错排，几乎不