南京邮电学院模拟电子技术基础第三章数电.pptxVIP

54/7454/74H54/74S54/74LSTTL ECL I2L 双极型54/74ALS54/74AS54/74FASTPMOS NMOS CMOS2.按制造工艺4000MOS型54/74HC/HCT74/54AC/ACTBi-CMOS型3.本章内容TTL、CMOS集成逻辑门的基本结构、工作原理和外部特性（包括逻辑功能和外部电气特性）。12V3VAF0B0V逻辑0二极管“与门”电路3V逻辑1第一节 分立元件门电路一、二极管“与门”电路二极管为理想的结论：F=AB3VA0BF0V逻辑03V逻辑1二、二极管“或门”电路二极管为理想的二极管“或门”电路结论：F=A+B三、“非”门电路（反相器）1.三极管开关特性(1)截止条件：e结反偏，c结反偏(2)饱和条件：e结正偏，c结正偏；在数字电路中，只利用截止区（关态）和饱和区（开态）图3.1.1三极管开关电路图3.1.2三极管截止和饱和时的等效电路结论：F=AVcc (+12V)VD (+3V)RCD3.4V0.2VF (uO)iBiCR1A (u1)R21AF-V BB(-12V)（b）逻辑符号（a）电路2.三极管反相器(1)工作原理图3.1.4三极管反相器电路若 ICSICM 则若 ICSICM 则(2)负载能力灌电流负载负载拉电流负载最大灌电流的确定：(三极管处于临界饱和且满足ICM要求）最大拉电流的确定：(iD=0)(a)灌电