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第五章 半导体探测器 §5-1 半导体探测器基础 §5-2 硅微条探测器的结构和原理 §5-3 半导体探测器的发展 §5-4 半导体探测器的应用 §5-1 半导体探测器基础 一、半导体的基本知识 1. 导体、半导体、绝缘体的能带 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。 满带：能级已被电子所占满，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称价带。 导带：能带被电子部分占满，在外电场作用下，电子从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电作用。 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能隙，记做Eg。 半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=5-10eV 由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。 一般情况下，半导体的满带完全被电子占满，导带中没有电子。在热力学温度为零时，即使有外电场作用，它们并不导电。但是当温度升高或有光照时，半导体满带中少量电子会获得能量而被激发到导带上，这些电子在外电场作用下将参与