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6 表面过程机理 气-固转化晶体生长最重要的步骤： 原子或分子撞击到生长表面上； 被吸附或被反射回气相； 被吸附物之间发生表面反应形成成晶粒子； 成晶粒子通过二维扩散迁徙在适当格点位置上 并入晶格。 这些步骤的机理、它们的相互关系及其对淀积参数的依赖性，决定着淀积物的生长习性和质量(化学组成及结构完善性)，从而决定了固体材料的物理性能。 气相生长理论对工艺实践起有益的指导作用。 6．1 固体表面的结构状况 6.1.1 固体的表面形貌 化学气相淀积是发生在固体表面上的气-固多相催化过程。因此，有关固体表面的知识，特别是其结构状况，对于理解和认识化学气相淀积的微观过程是不可缺少的。 通过现代实验技术(如低能电子衍射(LEED)和场离子显微镜(FIM)技术)的研究，获悉表面是原子级有序的，且大多数表面原子都占据在周期性排列的平衡位置上。表面上有很大数目的原子格位，其近邻原子的数目（配位数）不同，但是原子级有序仍占主导地位。 晶体表面结构 晶体表面结构，一般如图5-1所示， 即表面是由低密勒指数的台地和单原子高度的棱阶组成。在棱阶上有若干弯结位置，表面原 子可以在弯结上，也可以在棱阶上，或者吸附在台地平面上，称为附着原子。 晶体表面结构 原子可以通过表面扩散从一种位置迁移到另一种位置。表面原子的束缚能近似地与