带-杂质中心之四间的跃迁.pptVIP

* * 5.3 带-杂质中心之间的跃迁 施主和受主杂质中心的能量状态 施主和受主杂质中心的红外吸收 带-施主（受主）中心的复合发光 施主和受主杂质中心的能量状态 半导体掺杂 n-Si(Ge) N, P, As, Sb, Bi等 p-Si(Ge) B, Al, Ga, In等 在禁带中形成施主或受主能级，电离能~emV C V D A ED EA 电子（或空穴）在杂质中心附近受到库仑势 其中 r 为电子或空穴的位置坐标 采用弱束缚近似方法-类氢原子模型 解薛定谔方程，可得杂质能级（分别以导带底或价带顶为0点） 其中R*为杂质态得里德伯常数 其中m*为电子或空穴德有效质量. Wannier激子？ 杂质中心上的电子（空穴）的等效半径为 其中 aB=0.53x10-8cm,为氢原子波尔半径 例如 GaAs：r1*=90.9x10-8cm (半导体: Si : r1*=20x10-8cm ?大,m*/m0小) Ge : r1*=45x10-8cm 注意有效质量的各向异性！ 施主和受主杂质中心的红外吸收 (a)和(b)：中性施主(受主)与导(价)带间的跃迁-浅跃迁 (c)和(d)：离化施主(受主)与价(导)带间的跃迁-深跃迁 eV 单晶Si受主杂质浅跃迁吸收谱 吸收峰