半导体完整物理第五章.pptVIP

载流子的运动过程（以电子为例）：无外加电场: 在没有外加电场的情况下，电子在半导体晶体材料中进行无规则的热运动。 由于电子与晶格原子之间的碰撞作用，这种无规则的热运动将不断地改变电子的运动方向。温度越高，电子在发生两次碰撞之间的自由运动时间也就越短。 存在外加电场：在有外加电场存在的情况下，电子除了无规则的热运动之外，还将在外加电场的作用下做定向的加速运动。但是电子的速度不会无限制地增加下去，而是会因为碰撞作用不断地失去定向运动的速度，然后再重新开始加速，最后等效来看，电子在外加电场的作用下将会获得一个平均的定向运动速度。 存在外加电场，电子在半导体晶体材料中的运动轨迹： 5.1.1 漂移电流密度电流密度 J（A/cm2): 通过垂直于电流方向单位面 积的电流。漂移电流密度表示方法：Jdrf 如下图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压V之后，所形成的电流密度为： 在低电场情况下，载流子的定向漂移速度与外加电场成正比，即： 5.1.2 迁移率 迁移率是半导体的重要参数，反映了载流子的漂移特性。  定义：弱电场情况下 对于空穴而言，则有： 设空穴其自由运动时间为τcp。则空穴在一次自由运动时间内所获得的定向漂移运动速度为: 同样，对电子来说，设其自由运动时间为τcn