第4章三极及放大电路1节916.pptVIP

* 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 4.1 双极结型三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 √ √ 频率响应的分析计算方法 √ √ 频率响应的基本概念 放大电路的频率响应 ? ? √ 分析计算方法 √ ? ? 耦合方式及直接耦合电路的特殊问题 多极放大电路 ? √ √ 　静态工作点的选择与稳定 ? ? √ 　三种基本放大电路比较 ? ? √ 微变等效电路法 ? ? √ 静态工作点估算法 ? √ ? 图解法 放大电路的分析方法 ? ? √ 　放大电路的主要技术指标 ? √ ? 　放大电路的组成原则及工作原理 放大电路基础 ? √ √ 　晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数 ? √ √ 　电流分配与放大作用 √ ? ? 　晶体管的结构 晶体管 一般了解 正确理解 熟练掌握 教 学 要 求 知 识 点 4.1 双极结型三极管 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 BJT有两种类型: NPN型和PNP型 4.1.1 BJT的结构简介 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 4.1.1 BJT的结构简介 (2) 发射区小，掺杂浓度高。 (3) 集电区面积大。 (1) 基区很薄，且掺杂浓度很低。 放大状态 饱和状态 截止状态 倒置状态 据两个PN结的偏置情况，BJT的工作状态 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 由于三极管内有自由电子和空穴两种载流子参与导电，故称为双极结型三极管即BJT (Bipolar Junction Transistor)。 放大状态的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 放大状态下BJT中载流子的传输过程 放大状态的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） IC= ICN+ ICBO IE=IB+ IC 发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 原理图 电路图 + – + – 电流关系 a. 发射区向基区扩散电子形成发射结电子扩散电流IEN 发射区向基区扩散电子 称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子 b. 基区向发射区扩散空穴 形成空穴扩散电流IEP 基区向发射区扩散空穴 发射区向基区扩散电子 因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不计。 c. 基区电子的扩散和复合 非平衡少子在基区复合，形成基极电流IB IB 非平衡少子向集电结扩散 非平衡少子到达集电区 d. 集电区收集从发射区扩散过来 的电子形成集电极电流ICN IC IB 少子漂移形成反向饱和电流ICBO e. 集电区、基区少子相互漂移 集电区少子空穴向基区漂移 ICBO 基区少子电子向集电区漂移 IC IB 晶体管的电流分配关系动画演示 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO 通常 IC ICBO IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 2. 电流分配关系 且令 ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流） 3. BJT的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL