第四章场效应管及其本放大电路.pptVIP

第4章 场效应管及其基本放大电路 4.1 引言 场效应管的优点 输入阻抗高 抗干扰能力强 功耗小 分类： 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管IGFET 又称为MOSFET N沟道场效应管 P沟道场效应管 4.2 场效应管 4.2.1 绝缘栅场效应管 种类： 增强型（沟道从无到有） N P 耗尽型（沟道从有到无） N P 各种场效应管符号和特性曲线比较 ① 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。 4. 场效应晶体管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型晶体管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层 是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应 晶体管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。 几种常用的场效应管的主要参数见下表: 总结： 关于 和 的极性 （1）N沟道 P沟道 （2）用作增强型 和