霍尔效应测试系统-浙江大学实验室与设备管理处.docVIP

PAGE 第PAGE 3页 编号： 编号： 浙江大学 购置大型仪器设备可行性论证 与审批报告 仪器设备名称 霍尔效应测试系统 申 请 单 位 材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室 申 请 人 马向阳 项 目 负 责 人 杨德仁 经 费 来 源 国家科技重大专项 经费主管部门 科技部 申 请 日 期 2011年10月24日 实验室与设备管理处制 仪器设备中文名称 霍尔效应测试系统 仪器设备外文名称 Hall Effect Measurement System 型号规格 申购数量 1 单价估计 人民币(元)：（略）万 (折合)外币：（略）万美元 主要技术指标 磁场指标：采用进口电磁铁、电磁铁电源，电磁铁极头间距连续可调，最大磁场：室温实验1.3 T，变温实验0.87T。电磁铁为水冷电磁铁，磁场可长时间恒定运行；电磁铁电源为四相水冷电源，系统可真正实现零磁场。电磁铁电源指标要求： ±70A/±35V/2.45KW 分辨率0.1mA 稳定性5mA/24小时，1mA/1小时， 温度系数：±15ppm满量程/°C， 保护：短路，低压，高压，输出过电压，输出过电流，过温保护 电压波动：±60ppm满量程/10%电压变化 设置电流精度：±5mA ± 设置的0.05% 速率：0.1mA/s 到99.999A/s 显示更新速率：2.5读数/S， 接口更新速率：10读数/S， 输出电压精度：±5mV ± 读数的0.05% 磁场控制形式：通过高斯计形成的磁场闭环控制，用户可直接在高斯计上设定需要的磁场数值，高斯计为进口475型高斯计，后面板有RS232和IEEE488端口用于连接电脑，分辨率可达1mG，测量精度：±0.05%, 频率范围：DC-50KHz。 可测电阻范围：10mΩ~ 10MΩ，测量误差2% 迁移率：1~105 载流子浓度：1×106 到 1×1019 温度指标：温度范围：15K-350K。制冷方式：闭循环制冷，不消耗液氦；以Top Loading（顶部加载）的方式装载样品；样品更换方便：样品在压力稍大于大气的氦气中，可在不破坏真空或重新升温制冷机的情况下更换,控温稳定性优于±50mk。 主要功能、应用范围 与共享学科 霍尔效应是研究半导体物理性质的一个很重要的方法。霍尔效应测试，可用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。结合变温测试，可以测得霍尔系数和导电率随温度变化的关系，从而得到半导体材料的杂质电离能、禁带宽度和杂质补偿度。使用反常霍尔效应测量，还可分析相关磁性半导体的磁输运特性。 霍尔效应测量系统可用来理解和表征材料物理性。可测量的材料通常包括：半导体材料（如Si，Ge， GaAs，ZnO， CdTe， HgCdTe）、电磁材料（磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、超导体材料）。 申 购 理 由 和 必 要 性 霍尔效应测试系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 半导体材料和器件的性能都会受到的杂质和缺陷的影响，对杂质和缺陷的研究有重要意义。由霍尔系数、导电率随温度变化的关系可以得到半导体材料的杂质电离能、禁带宽度和杂质补偿度。低温霍尔效应检测系统，可以用于硅片中浅能级杂质和电活性缺陷性质的研究，并可用于测量硅片的补偿度。 霍尔测试有三个突出的优点——设备相对简单、测试结果容易解读、动态范围宽。同时，霍尔电压的极性可以明确的确定半导体的导电类型。与霍尔效应用途相近的测试方法有：电容-电压测试——决定载流子浓度，热探针测试——决定载流子类型，磁阻测试——决定迁移率。这几种方法，都有各自的局限性，相比而言霍尔效应能测试到的参数更加全面。 综上，霍尔效应测试可以测得半导体材料多项重要的电学参数，并可用于杂质和缺陷的研究，是半导体材料器件研究中的重要测试技术。 调 研 情 况 1、本校有同类设备 0 台，使用情况调研如下：（不够可附页） 单 位 仪器编号 仪 器 名 称 使用情况(繁忙/一般/闲置） 是否开放 2、列出两家可供货厂商及相关情况(仪器性能、售后、价格等的比较，不够可附页) 预期使用效益及风险预测 预期年有效使用机时: 400 小时/年 人员安排及仪器安装条件 1、人员安排 仪器负责人: 马向阳 职称 教授 电话 （略） Email mxyoung@ 操作人员: 赵建江 职称 助工