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微电子器件与IC设计 第6章 MOSFET 　　　　　　主要内容 MOS结构与特性 MOSFET结构与特性 MOSFET工作原理 I-V特性 交流特性 引言 引言 特点 单极器件、多子器件 电压控制器件 噪声低 制作工序少，隔离容易 6.1 MOS结构及其特性 栅极上加负电压，空穴聚集 栅极上加正电压，耗尽 栅极正电压增大，表面反型 6.1 MOS结构及其特性 MOS电容 6.2 MOSFET的结构及其特性 1 MOSFET的基本结构 构成：半导体衬底、氧化层、金属栅极、源／漏扩散区。 6.2 MOSFET的结构及其特性 6.2 MOSFET的结构及其特性 2、MOSFET的类型 6.2 MOSFET的结构及其特性 2、MOSFET的类型 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 3、MOSFET的基本工作原理 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 6.2.2、 MOSFET的基本工作原理 6.2 MOSFET的基本结构及工作原理 6.2.2、 MOSFET的基本工作原理 VDS为常数，IDS～VGS VGS＝0， IDS＝0 VGS＝VT（阈值电压）： VGS ：P型－耗尽层－N反型层 VGS0： 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.2 强反型 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.2 强反型 半导体表面积累的少子浓度等于甚至超过体内多子浓度的状态 费米势： 强反型条件： 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.3 强反型时的电荷分布 QG：金属栅上的面电荷密度 QOX：栅绝缘层中的面电荷密度 Qn ：反型层中电子电荷面密度 QB ：半导体表面耗尽层中空间电荷面密度 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.4 理想状态MOSFET的阈值电压 1. 理想状态：Qox＝0，Vms＝0 2. 沟道形成时的临界状态：Qn＝0 3. 出现强反型后：xd xdmax 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.4 理想状态MOSFET的阈值电压 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.4 理想状态MOSFET的阈值电压 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.4 理想状态MOSFET的阈值电压 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.4 理想状态MOSFET的阈值电压 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.5 实际MOSFET的阈值电压 （1）实际MOS结构的特点 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.5 实际MOSFET的阈值电压 （3）非平衡下之VT VDS0 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.5 实际MOSFET的阈值电压 （4） 衬偏电压VBS≠0 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （1）栅电容Cox （2）接触电势 （3）衬底杂质浓度的影响 （4）氧化层电荷密度的影响 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （1）栅电容Cox 选用较大介电系数的材料作栅介质膜 减小氧化层厚度 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （2）接触电势 尽量使得Vms=0 用硅栅工艺（用多晶硅作栅极） 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （3）衬底杂质浓度的影响 费米势： 耗尽层电荷： Vms 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （4）氧化层电荷密度的影响 6.3 MOSFET的阈值电压 6.3.6影响阈值电压的因素 （4）氧化层电荷密度的影响 PMOS： VTp始终小于0，为EMOS 欲PMOS成为DPMOS，可预制一层P型预反型层或利用Al2O3膜的负电荷效应，制作Al2O3/SiO2复合栅 6.4 MOSFET的电流－电压特性 6.4.1 理想模型（以ENMOS为例） 一维近似，只考虑电流在y方向的流动； 强反型近似： 渐变沟道近似： 只考虑漂移电流，忽略扩散电流； 忽略沟道和衬底间的反向漏电流； 忽略源极、漏极、沟道之间的接触电阻； 考虑沟道杂质浓度均匀分布。 6.4 MOSFET的电流－电压特性 6.4 MOSFET的电流－电压特性 6.4.2 沟道电荷密度Qn 设沟道中某一点y的电荷密度为Qn(y)： 沟道中某一点电位为V(y)则： 6.4 MOSFET的电流－电压特性 6.4.3 漂移电流IDS qn(x,y)：沟道中某点的电荷密度，μ