半导体器件-二极管-三极管分解.ppt

半导体导电的两个方面 自由电子的运动 束缚电子的运动 空穴 直接描述束缚电子的运动不太方便 用我们假想的（自然界不存在的）、带正电的、与束缚电子反方向运动的那么一种粒子来描述束缚电子的运动比较方便，这种粒子起名叫做“空穴” 半导体中的载流子 自由电子 空穴 四、双极型三极管 半导体三极管的型号 NPN共射输入特性曲线的特点描述 （1）当vCE=0V时，相当于正向偏置的两个二极管并联，所以与PN结的正向特性相似 （2） vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移。原因： vCE≥1V时集电结反偏，集电结吸引自由电子的能力增强，从发射区注入的自由电子更多地流向集电区，对应于相同的vBE （即发射区发射的自由电子数一定） ，流向基极的电流减小，曲线右移 （3） vCE1V与vCE=1V的曲线非常接近，可以近似认为重合 （4）有一段死区 （5）非线性特性 （6）温度上升，曲线左移 （7）陡峭上升部分可以近似认为是直线，即iB与vBE成正比，线性区 （8）放大状态时，NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V NPN共射输出特性曲线的特点描述 截止区: 的区域:三个电极上的电流为0,发射结和集电结均反偏,相当于开关打开,在数字电路中作为开关元件的一个状态。 有关三个区的几个简单结论 截止区: 三极管的三个电极所在的支路中的电流为0,任意两个极之间的电压是多少，决定于外电路，满足电路方程。 饱和区： NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V，没有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 放大区：NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V， 有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 如何改变三极管的状态 只要改变iB和IBS的比较关系即可 保持IBS不变，通过改变Rb可改变iB 或保持iB 不变，通过改变RC可改变IBS 场效应管出现的历史背景 1947年贝尔实验室的科学家发明的双极型三极管代替了真空管，解决了当时电话信号传输中的放大问题。但是这种放大电路的输入电阻还不够大，性能还不够好。因此，贝尔实验室的科学家继续研究新型的三极管，在1960年发明了场效应管。场效应管的输入电阻比双极型三极管要大得多,场效应管的工作原理与双极型三极管不同。 场效应管的用途 场效应管又叫做单极型三极管，共有三种用途： 一是当作电压控制器件用来组成放大电路； 二是在数字电路中用做开关元件。 三是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用； 场效应管的学习方法 学习中不要把场效应管与双极型三极管割裂开来，应注意比较它们的相同点和不同点。 场效应管的栅极、漏极、源极分别与双极型三极管的基极、集电极、发射极对应。 场效应管与双极型三极管的工作原理不同,但作用基本相同。 场效应管还可以当作非线性电阻来使用,而双极型三极管不能。 场效应管的分类 （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 JFET的三个状态 恒流区（放大区、饱和区） 可变电阻区 截止区 场效应管的应用小结 一是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用， VGS的绝对值越大，导电沟道就越窄，对应的导电沟道电阻越大，即电压VGS控制电阻的大小，管子工作在可变电阻区，当作压控可变电阻使用时，导电沟道还没有出现预夹断； 金属-氧化物-半导体场效应管 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 耗尽型MOS场效应管 一 N沟道耗尽型MOS场效应管结构 二 N沟道耗尽型MOS的工作原理 三 N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 (4) 在VGS = -1伏（即│VGS││Vp│的某个值）的前提下 ， 当VDS 由小变大时，JFET的状态 (4.1) VGS = -1伏、VDS的值比较小时 导电沟道不再是上下平行等宽，而是上窄下宽。近似地认为导电沟道的电阻均为R2，导电沟道呈现线性电阻的性质。 (4.2)VGS = -1伏、VDS的值增加至某值开始出现预夹断 如图所示，当VDS的值增加至某值（此值比│Vp│小）时，两边的PN结在靠近漏极的某点最先相接，导电沟道被预夹断,在此点有│VGS│+VDS =│Vp│。JFET的状态对应输出特性曲线中的M点