集成电路制造工艺演讲稿.pptVIP

* 韩 良 1.2.8 接触孔掺杂 为了改善有源区接触孔特性，在光刻接触孔之后、回流之前， 用Nplus 版光刻，对接触孔进行N+注入 用Pplus 版光刻，对接触孔进行P+注入 * 韩 良 1.2.9 其它MOS工艺简介 双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠栅MOS器件，适合CMOS数/模混合电路、EEPROM等 多层金属：便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速CMOS电路 P阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 E/D NMOS工艺 * 韩 良 * 1.2.10 练习 1.阐述N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程，说明流程中需要哪些光刻掩膜版及其作用。 2. 何为硅栅自对准？ * 韩 良 * §1.3其它集成电路制造工艺简介 * 韩 良 * 1.3.1 双层多晶、多层金属CMOS工艺 双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠栅MOS器件，适合CMOS数/模混合电路、EEPROM等 多层金属：便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速CMOS电路 * 韩 良 * 1.3.2 双极型模拟集成电路工艺 磷穿透扩散：减小串联电阻 离子注入：精确控制参杂浓度和结深 B P-Sub N+埋层 SiO2 光刻胶 P+ P+ P+ P P N+ N+ N+ N+ C E C E B B * 韩 良 * 1.3.3 Bi CMOS工艺 双极工艺器件的特点是速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度低；而CMOS工艺制造的器件功耗小、集成度高，但速度低、驱动能力差。 在既要求高集成度又要求高速的领域中可以采用二者的结合（即Bi CMOS工艺），发挥各自的优点。 * 韩 良 * 双极型工艺与MOS工艺相结合，双极型器件与MOS型器件共存，适合数/模电路。 1.以双极型工艺为基础的Bi-MOS工艺 2.以CMOS工艺为基础的Bi-MOS工艺 * 韩 良 * B E C NMOS PMOS N+ N+ N+ N+ P+ P+ P阱 P阱 N--SUB 纵向NPN 以P阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面 B E C PMOS NMOS P--SUB 纵向NPN P N阱 N+ N+ P+ P+ N+ N+ N阱 以N阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面 NPN的集电极接衬底 * * 韩 良 * 1.1.1 工艺流程（续3） ?光刻磷扩散区 ?磷扩散 ?氧化 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P * 韩 良 * 1.1.1 工艺流程（续4） ?光刻引线孔 ?清洁表面 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P * 韩 良 * 1.1.1 工艺流程（续5） ?蒸镀金属 ?反刻金属 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P * 韩 良 * 1.1.1 工艺流程（续6） ?钝化 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P ?光刻钝化窗口 ?后工序 * 韩 良 * 1.1.2 光刻掩膜版汇总 埋层区 ?隔离墙 ?硼扩区 ?磷扩区 ?引线孔 ?金属连线 ?钝化窗口 GND Vi Vo VDD T R * 韩 良 * 1.1.3 外延层电极的引出 欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流