模拟电子技术张学军场效应管及其基本.pptxVIP

1 3.1 场效应晶体管 3.1.1 结型场效应管 结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的，也称为体内场效应器件。 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor)简称JFET，有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图3.1.1给出了JFET的结构示意图及其表示符号。 牛牛文库文档分享 2 图3.1.1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 (a)N沟道JFET；(b)P沟道JFET 一、结型场效应管的结构 N沟道JFET：N型半导体棒两侧掺杂成两个P+型区，形成两个PN结。两个P+区接成栅极（Gate），N区的一端称为源极（Source）(发送电子)，另一端称为漏极（Drain）（接收电子），源极和漏极可以互换。 牛牛文库文档分享 3 如图3.1.2所示。D-S间加正向电压UDS，G-S间加反向电压UGS。 在UDS作用下，电子从S→D，形成ID；而UGS0→PN结反偏→IG≈0，所以IS≈ID。 当|UGS|↑→PN结变厚→导电沟道变窄→沟道电导率↓ →电阻↑→在UDS一定时，ID↓。当UGS↑到一定值时，沟道全部消失，ID=0，此时的UGS称为夹断电压，记为UGsoff。 二、结型场效应管的工作原理 牛牛文库文档