电沉积AgInSe2应用於敏化太阳能电池之研究许维中1何宜璟1张家硕.DOC

電沉積AgInSe2應用於敏化太陽能電池之研究 許維中1 何宜璟1 張家碩2 黃昭銘3 陳龍泉12* 1崑山科技大學綠色材料所 2崑山科技大學高分子材料系 3崑山科技大學環境工程系 摘要 本論文以電沉積方式於ITO及ITO-TiO2上成長AgInSe2，討論其物理性質並應用於半導體敏化式太陽能電池之研究。由XRD分析可知在-1.25V(vs MSE)的還原電位下電沉積In(NO3)3、AgNO3及SeO2的混合液45min之樣品，經250℃真空煅燒可成功成長AgInSe2晶相。若煅燒溫度太低(150℃)，則樣品中Ag2Se的濃度高，若溫度高(350℃以上)，則成份Se會脫離樣品。沉積電位太低(-0.6V vs MSE)則樣品以雙成份Ag-Se及In-Se的化合物為主；約在-1.0V 以上(vs MSE)，AgInSe2的生成才明顯。由XRD分析顯示除了AgInSe2外，並沒有其他Ag-In-Se的三成份化合物生成。UV-vis-NIR分析顯示製備的AgInSe2的能帶間隙為1.25eV。藉此電沉積條件於TiO2薄膜上製備AgInSe2 關鍵詞: 無機半導體敏化太陽能電池、二氧化鈦、AgInSe2、電化學沉積法、鈷系電解液 前言 目前DSSC效率已達11%以上，且是相當熱門的研究題目，其主要原因是DSSC具有成為商業化光伏特電池的潛力，且相關的材料亦可應用於觸媒及感測器等