高频振荡电路的设计与制作.docVIP

高频振荡电路的设计与制作 1、振荡电路的分类 其中的RC振荡电路是由电阻与电容所形成的调谐电路，因此，无法产生高谐波，不适合高频振荡电路。高频振荡电路一般使用LC振荡电路，也即固态振荡电路。 2、振荡电路的特性 在设计振荡电路时，必须注意以下的特性。 ▲频率稳定度 振荡电路特性的良否，是由频率稳定度决定的，此为振荡器的重要特性。关于频率的变动可以用以下数值表示之。 频率：经过时间的变动 电源ON后，随着时间的经过，所产生的频率变动。特别是，在热机(warm-up)时的变动最大。 频率温度系数：相对于温度变化时的频率变动，用ppm/℃表示。 频率：电源电压变动：电源电压变化时的频率变动，用%/V表示。 ▲输出位准的稳定度 相对于时间，温度，电源电压的输出位准稳定度。 ▲振荡波形失真 此为正弦波输出的失真率表示。如果为纯粹的正弦波时，失真率成为零。 在高频率振荡电路中，除了上述特性以外，尚要考虑到在设计时的频率可变范围以及振荡频率范围。 哈特莱型LC振荡电路的设计-制作 哈特莱(Hartley)型的振荡电路。其振荡频率为10M~20MHz。 图4中的L1与L2间的相互电感为M时，其合成的电感量L成为L= L1+ L2+2M。 如此，其振荡频率f是由振荡频率决定的。 此处，要满足振荡条件，反馈信号的相位必须与信号的相位为一致。 假设合成电感量L所发生的电压为e，中间的接点E的左方线圈为L1，右方线圈为L2。 此时，L1与L2所发生的电压虽然为同一方向，但是，如果以E点为基准，考虑到L1与L2的电压时，L1所发生的电压相对于所发生的电压e成为逆相。 因此，以接点E为基准，电压Vbe与Vce为逆相，也即是相位相差180°。而Vbe为晶体管放大器的输入信号，与输出信号Vce相位差l80°。 结果，相位差合计为360°，使反馈信号成为同相，达到产生振荡的条件。 振荡频率的决定 由于设计的振荡频率为10M~20MHz，振荡用线圈L为使用图5所示的HAM Band线圈(FCZ研究所)中的一种。 型号 使用频段 (MHz) 谐振电容 (pF) 　 空载Q值 线圈匝数(T) 4~6 3~1 3~2 FCZ3.5 3.5 220 9.4 70 7 20 10 FCZ7 7 120 4.6 80 5 14 7 FCZ14 14 70 1.85 75 4 12 6 FCZ21 21 40 1.45 95 3 10 5 FCZ28 28 30 1.1 90 3 8 4 FCZ50 50 15 0.68 100 2 6 3 在此为使用FCZ21-10S。此一线圈端子①～③间的电感量L为1.45 μH 。 并联所连接的静电容量为使用A M电子调谐所使用的可变电容二极管(varicap)1SVl49，其静电容量值会随着所加入的电压大小而变化。在此，也可以使用相同特性的lSV100。 可变电容二极管lSV149的特性如图6所示。由电压一电容量特性(VR对C特性)，可以知道加入逆电压1~9V其电容量变化为500pF~20pF。因此，在LC振荡电路中，如图7所示，将可变电容二极管与680pF的电容Cs串联，当加在可变电容二极上的逆向电压VR为2 V时，其电容量为300pF，合成电容量成为280pF，所以谐振频率fmin成为 ???? 接着，如图(b)所示，将逆向电压VR=9V加在可变电容二极管上，其合成电容量成为19.4pF。所以 因此，振荡频率的可变范围为9.l6MHz~30.0MHz 。 图7 电路振荡频率的范围求法 振荡级用的晶体管放大器 图8所示的为实际所设计的哈特莱振荡电路。振荡电路的晶体管Trl为使用VHF频带放大用的2SC l906(日立)。图9所示的为2SC 1906的特性。fT(交流电流放大率hfe成为1的频率)为1000MHz，足适合使用。 此一振荡电路的工作原理点是由二个47KΩ与连接在射极的1.5kΩ电阻所决定的。在线圈与射极间为连接可变电阻，以调整反馈量，选择最稳定的振荡点。 图8 哈特莱振荡电路的设计(所使用的晶体管fT为1000MHz，为VHF频带(30M~300MHz)所使用将可变电容器使用电容器代替时，便成为基本的哈特莱电路。)? 缓冲器用的晶体管放大器 如果将负载直接与振荡电路连接时，由于负载的变动，会影响到振荡频率。因此，经由缓冲放大器后再与负载连接。缓冲放大器为使用高输入阻抗的射随器。图l0所示的为缓冲放大器的电路设计。 缓冲器的输入阻抗较高，因此，可以经由CR串联电路与振荡电路连接。由于射随器的输出阻抗较低，串联50Ω电阻后，其输出阻抗也约为50Ω而已。 LC 振荡器的制作??? 图11所示的为所制作的印刷电路基板图面。 线圈L为装入隔离盒内。由于不使用⑵，④，⑥端子，因此不连接。将隔离外壳焊接在接地图样。 频率调整用的可变