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04 半导体三极管及放大电路基础4.1 半导体三极管Bipolar Junction Transistor(BJT)4.1.1 结构与符号4.1.2 工作原理4.1.3 特性曲线4.1.4 参数4.1.5 型号4.1.6 基本要求三极管图片三极:三区:两节:4.1.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)一、结构两种: NPN PNPe(Emitter) ：发射极b(Base） ：基极c(Collector)：集电极发射区集电区e,b,c特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大集电结(Jc)发射结(Je)Je,Jc基区*Je箭头: P N二、符号4.1.2 工作原理(Transistor Operation)一、放大条件二、内部载流子传输过程三、电流分配关系四、放大作用一、放大条件内部条件： 三区结构与掺杂外部条件？Je正偏，Jc反偏。电位关系：NPN：VC ＞ VB ＞ VEPNP：VC ＜ VB ＜ VE (1)(2)(3)IEIC扩散漂移发射区基区集电区JeJc复合正偏反偏IB二、内部载流子传输过程忽略支流：IE =IC+IB另有支流： IEP 、ICBO 三、电流分配关系(Current Relationship)IE =IC+IB四、放大作用电流放大(控制）三种组态电路 (Common)(Common Emitter