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考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压（正偏）： PN结加正向电压时的导电情况 2 PN结的特点 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极 PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位 从电源正极有流入N 区的很小的反向电流 2 PN结加反向偏置电压（反偏）： PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 结论 3 PN结V- I 特性（伏安特性）表达式 习惯: P(+),N(-)为参考方向 PN结的伏安特性 门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界； 导通条件：V＞ Vth；(与材料有关,Si :0.5V,Ge:0.1V) 导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真); 截止条件: V Vth; (对内电场克服不够) 截止后特征:电流几乎为0。 其中: PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关 VT ——温度的电压当量 常温下（T=300K）： vD——PN结外加电压 可推知：PN结加正压，VD≈0.7V， PN结加反压，VD为负值，若 比 大几倍时, 。可见,反向电流是个常数 ，不随外加反向电压的大小而变动。 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 4 PN结的反向击穿 1).PN结的反向击穿现象 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能增加 ?碰撞电离?连锁反应 2) . 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 电击穿 齐纳击穿： 雪崩击穿： 热击穿 具有可逆性 具有破坏性 图1.1.10 PN结的伏安特性 正向特性： 反向特性： u＜0时，i ≈-Is 击穿特性： ＞ U(BR)时，i↑ 小结: 5. PN结的电容效应 （1）势垒电容 （图1.1.11 PN结的势垒电容） 势垒电容（Cb）： PN结外加电压变化时，引起耗尽层宽窄变化 （空间电荷区电荷量的变化）所等效的电容。 扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容(Cd)。 结电容 Cj= Cd+Cb 一般在1PF左右 6. PN结等效电路 rd Cj (2)扩散电容 * * * * * * * * * * * * * * * 模拟电子技术基础 目 录 第一章 常用半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 多级放大电路 第四章 集成运算放大电路 第五章 放大电路的频率响应 第六章 放大电路中的反馈 第七章 信号的运算和处理 第八章 信号的发生和信号的转换 第九章 功率放大电路 第十章 直流电源 管 路 信号单方向传输 信号双向传输 小信号放大电路 大信号 微变等效法 图解分析法 单级放大电路 多级放大电路 分立元件电路 提供能源的电路 信号源 0 导言 0.1 电信号 0.2 电子信息系统 0.3 电子技术的课程体系 0.1 电信号 温度波动曲线 声音、图像、亮度、温度等等物理信息，都可以用信号波形来表示。 电子系统处理的是电信号，它由相应的物理量通过传感器转换而得到。 信号：信息的载体 是研究电子器件、电子电路及其应用的 电子技术 模拟电子技术： 数字电子技术： 研究模拟信号 研究数字信号 模拟信号：在时间上和幅值上都是连续变化的信号 数字信号：在时间上和幅值上都是离散的信号 （模拟信号） （数字信号） （数值 的变化