模电第万一单的课件.pptVIP

主 要 参 数 （1）最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 （3）反向电流 IR 指二极管未击穿时的反向电流。 硅管的反向电流很小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 温度升高，反向电流会急剧增大。 反向电流越小，则管子的单向导电性越好。 主 要 参 数 （4）极间电容 二极管的极间电容由两部分组成：势垒电容CB用来描述势垒区的空间电荷随外加电压变化而产生的电容效应；扩散电容CD用来描述扩散区的非平衡少子随外加电压变化而产生的电容效应。 P + - N 主 要 参 数 （4）极间电容 势垒区是积累空间电荷的区域，当外加电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容效应是势垒电容CB 。 P + - N 主 要 参 数 为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N （4）极间电容 主 要 参 数 正偏时结电容较大（主要取决于CD）；反偏时结电容较小（主要取决于CB）。 PN结的高频小