模电课件03第一章晶体二极管及其可应用new.pptVIP

* 1．3 晶体二极管及其应用 二极管的结构 负极 P N 正极 封装 二极管的电路符号 二极管符号中的箭头方向就是二极管正向电流的方向 点接触型和面接触型 1．3 ．1 晶体二极管的伏安特性 1 ．二极管的理想伏安特性方程 电流与端电压之间的关系 PN结伏安特性方程 uD是加在二极管上的端电压，UT为热电压当量，UT＝kT/q,（当T＝300K时UT ＝26mV）。IS即为PN结反向饱和电流，与少数载流子浓度有关 正偏时取uD0，反偏时uD代入负值 正偏PN结存在着一个导通电压UON ，称为二极管的正向开启（死区或门限）电压 PN结的伏安特性曲线 （1）正偏PN结伏安特性方程 二极管的正偏伏安特性方程 iD /mA uD /V 1.0 1μA Ge Si 当uD0．5V时，正向电流实际很小，不能认为PN结真正导通 而当uD0．6V以后，正向电流急剧增大，PN结呈现较陡的伏安特性 0.7V 硅PN结导通电压为0．7V 锗PN结导通电压为0．3V 0.3V 正偏时（即uD0）， 且当uD＞4UT时 PN结的伏安特性曲线 （2)反偏PN结伏安特性方程 反偏时（即uD0）， 且当uD＜＜-4UT时， iD /mA uD /V 1.0 1μA Ge Si 二极管的反偏伏安特性方程 反向电流不随反向偏压而变化，反偏时PN结仅有很小的