模电课该件02第一章pn节.pptVIP

* 1.2 PN结（PN junction） 在一块N型半导体（或P型），用杂质补偿的方法掺入一定数量的三价元素（或五价元素）将这一部分区域转换成P型（或N型），则在它们的界面处便生成PN结。 PN结是晶体二极管及其它半导体的基本结构，在集成电路及其元、器件中极其重要。 （1）PN结的形成 N P N P N P N P N P N P 在N区靠近界面处留下正离子，P区生成负离子； P型半导体中空穴（多子）向N区扩散，这些载流子一旦越过界面，与N区电子复合， 内建电场E 空间电荷区 实际上PN结的宽度是很小的，只有μm量级 空间电荷区 多子扩散 内建电场 多子扩散 少子漂移 多子扩散 N P N P N P 内建电场E 空间电荷区 少子漂移 空间电荷区 内建电场 少子漂移 最终，当漂移和扩散达到动态平衡，PN结即形成。这时，再没有净的电流流过PN结，也不会有净的电荷迁移。 2． PN结的特点 （1）空间电荷区的宽度决定于杂质浓度。 N P 内建电场E 空间电荷区 杂质浓度越高，空间电荷区越薄 (2)空间电荷区是非中性区。 PN节有内建电位差 N P P区为负，N区为正，界面处为零 内建电场E N Uφ内建电位 势垒（电子势能） ρ（x）电荷分布 E电场强度 φ电位 qUφ P （接触电位差或内建电位差） PN节的内建电位差 UT =kT /q（热力学